ภาษาไทย
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
เกี่ยวกับเรา | ติดต่อเรา | ขอใบเสนอราคา |
บ้าน > ศูนย์ผลิตภัณฑ์ > Discrete Semiconductor ผลิตภัณฑ์ > ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFET - Single > IXTA1N100
IXTA1N100
IXTA1N100
รุ่นผลิตภัณฑ์:
IXTA1N100
ผู้ผลิต:
IXYS Corporation
ลักษณะ:
MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO-263
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
13551 Pieces
แผ่นข้อมูล:
IXTA1N100.pdf
การสอบสวน

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ IXTA1N100 เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา IXTA1N100 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ IXTA1N100 กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:4.5V @ 25µA
เทคโนโลยี:MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:TO-263 (IXTA)
ชุด:-
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:11 Ohm @ 1A, 10V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด):54W (Tc)
บรรจุภัณฑ์:Tube
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Surface Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน:8 Weeks
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:IXTA1N100
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:400pF @ 25V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:14.5nC @ 10V
ประเภท FET:N-Channel
คุณสมบัติ FET:-
ขยายคำอธิบาย:N-Channel 1000V (1kV) 1.5A (Tc) 54W (Tc) Surface Mount TO-263 (IXTA)
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):1000V (1kV)
ลักษณะ:MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO-263
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:1.5A (Tc)
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ IXTA1N100

ภาพ รุ่นผลิตภัณฑ์ ผู้ผลิต ลักษณะ ดู
IXTA1N120P Image IXTA1N120P IXYS MOSFET N-CH 1200V 1A TO-263 การสอบสวน
IXTA12N65X2 Image IXTA12N65X2 IXYS MOSFET N-CH 650V 12A TO-263 การสอบสวน
IXTA100N04T2 Image IXTA100N04T2 IXYS MOSFET N-CH 40V 100A TO-263 การสอบสวน
IXTA130N10T7 Image IXTA130N10T7 IXYS MOSFET N-CH 100V 130A TO-263-7 การสอบสวน
IXTA10P50P Image IXTA10P50P IXYS MOSFET P-CH 500V 10A TO-263 การสอบสวน
IXTA1R4N100P Image IXTA1R4N100P IXYS MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO-263 การสอบสวน
IXTA130N065T2 Image IXTA130N065T2 IXYS MOSFET N-CH 65V 130A TO-263 การสอบสวน
IXTA12N50P Image IXTA12N50P IXYS MOSFET N-CH 500V 12A D2-PAK การสอบสวน
IXTA15N50L2 Image IXTA15N50L2 IXYS MOSFET N-CH 500V 15A TO-263 การสอบสวน
IXTA160N10T7 Image IXTA160N10T7 IXYS MOSFET N-CH 100V 160A TO-263-7 การสอบสวน
IXTA1N100P Image IXTA1N100P IXYS MOSFET N-CH 1000V 1A TO-263 การสอบสวน
IXTA1N170DHV Image IXTA1N170DHV IXYS MOSFET N-CH 1700V 1A TO-263 การสอบสวน
IXTA160N10T Image IXTA160N10T IXYS MOSFET N-CH 100V 160A TO-263 การสอบสวน
IXTA15P15T Image IXTA15P15T IXYS MOSFET P-CH 150V 15A TO-263 การสอบสวน
IXTA120P065T Image IXTA120P065T IXYS MOSFET P-CH 65V 120A TO-263 การสอบสวน
IXTA130N10T Image IXTA130N10T IXYS MOSFET N-CH 100V 130A TO-263 การสอบสวน
IXTA1N80 Image IXTA1N80 IXYS MOSFET N-CH 800V 750MA TO-263 การสอบสวน
IXTA120N075T2 Image IXTA120N075T2 IXYS MOSFET N-CH 75V 120A TO-263 การสอบสวน

ข่าว Latest