ภาษาไทย
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
เกี่ยวกับเรา | ติดต่อเรา | ขอใบเสนอราคา |
บ้าน > ศูนย์ผลิตภัณฑ์ > Discrete Semiconductor ผลิตภัณฑ์ > ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFET - Single > IXTA05N100
IXTA05N100
IXTA05N100
รุ่นผลิตภัณฑ์:
IXTA05N100
ผู้ผลิต:
IXYS Corporation
ลักษณะ:
MOSFET N-CH 1000V 0.75A TO-263
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
18103 Pieces
แผ่นข้อมูล:
IXTA05N100.pdf
การสอบสวน

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ IXTA05N100 เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา IXTA05N100 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ IXTA05N100 กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:4.5V @ 250µA
Vgs (สูงสุด):±30V
เทคโนโลยี:MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:TO-263 (IXTA)
ชุด:-
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:17 Ohm @ 375mA, 10V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด):40W (Tc)
บรรจุภัณฑ์:Tube
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Surface Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน:8 Weeks
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:IXTA05N100
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:260pF @ 25V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:7.8nC @ 10V
ประเภท FET:N-Channel
คุณสมบัติ FET:-
ขยายคำอธิบาย:N-Channel 1000V (1kV) 750mA (Tc) 40W (Tc) Surface Mount TO-263 (IXTA)
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On):10V
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):1000V (1kV)
ลักษณะ:MOSFET N-CH 1000V 0.75A TO-263
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:750mA (Tc)
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ IXTA05N100

ภาพ รุ่นผลิตภัณฑ์ ผู้ผลิต ลักษณะ ดู
STI14NM50N Image STI14NM50N STMicroelectronics MOSFET N CH 500V 12A I2PAK การสอบสวน
IXFT12N100Q Image IXFT12N100Q IXYS MOSFET N-CH 1000V 12A TO268 การสอบสวน
IXTA05N100HV Image IXTA05N100HV IXYS MOSFET N-CH 1KV 750MA TO263 การสอบสวน
IXTA02N250 Image IXTA02N250 IXYS MOSFET N-CH 2500V 0.2A TO263 การสอบสวน
AUIRLZ24NS Image AUIRLZ24NS Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V AUTO การสอบสวน
NVTFS5824NLWFTWG Image NVTFS5824NLWFTWG ON Semiconductor MOSFET N-CH 60V 20A U8FL การสอบสวน
ZVN4210ASTOB Diodes Incorporated MOSFET N-CH 100V 450MA TO92-3 การสอบสวน
AO4566 Image AO4566 Alpha & Omega Semiconductor Inc. MOSFET N-CH 30V 12A 8SOIC การสอบสวน
IXTA08N100D2 Image IXTA08N100D2 IXYS MOSFET N-CH 1000V 800MA D2PAK การสอบสวน
BSS209PW L6327 Image BSS209PW L6327 Infineon Technologies MOSFET P-CH 20V 580MA SOT-323 การสอบสวน
RJK4007DPP-M0#T2 Image RJK4007DPP-M0#T2 Renesas Electronics America MOSFET N-CH 400V 7.6A TO220 การสอบสวน
IXTA02N450HV Image IXTA02N450HV IXYS MOSFET N-CH 4500V 0.2A TO263 การสอบสวน
IXTA06N120P Image IXTA06N120P IXYS MOSFET N-CH 1200V 0.6A TO-263 การสอบสวน
IXTA02N250HV Image IXTA02N250HV IXYS MOSFET N-CH 2500V 0.2A TO263 การสอบสวน
IXTA08N100P Image IXTA08N100P IXYS MOSFET N-CH 1000V 0.8A TO-263 การสอบสวน
IXTA08N50D2 Image IXTA08N50D2 IXYS MOSFET N-CH 500V 800MA D2PAK การสอบสวน
IXTA08N120P Image IXTA08N120P IXYS MOSFET N-CH 1200V 0.8A TO-263 การสอบสวน

ข่าว Latest