ภาษาไทย
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
เกี่ยวกับเรา | ติดต่อเรา | ขอใบเสนอราคา |
บ้าน > ศูนย์ผลิตภัณฑ์ > Discrete Semiconductor ผลิตภัณฑ์ > ทรานซิสเตอร์ - IGBT - เดี่ยว > IXGP30N120B3
IXGP30N120B3
IXGP30N120B3
รุ่นผลิตภัณฑ์:
IXGP30N120B3
ผู้ผลิต:
IXYS Corporation
ลักษณะ:
IGBT 1200V 60A 300W TO220
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
19159 Pieces
แผ่นข้อมูล:
IXGP30N120B3.pdf
การสอบสวน

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ IXGP30N120B3 เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา IXGP30N120B3 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ IXGP30N120B3 กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด):1200V
VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี:3.5V @ 15V, 30A
ทดสอบสภาพ:960V, 30A, 5 Ohm, 15V
Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C:16ns/127ns
การสลับพลังงาน:3.47mJ (on), 2.16mJ (off)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:TO-220AB
ชุด:GenX3™
เพาเวอร์ - แม็กซ์:300W
บรรจุภัณฑ์:Tube
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:TO-220-3
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Through Hole
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน:8 Weeks
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:IXGP30N120B3
ประเภทขาเข้า:Standard
ประเภท IGBT:PT
ค่าใช้จ่ายประตู:87nC
ขยายคำอธิบาย:IGBT PT 1200V 60A 300W Through Hole TO-220AB
ลักษณะ:IGBT 1200V 60A 300W TO220
ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM):150A
ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด):60A
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ IXGP30N120B3

ภาพ รุ่นผลิตภัณฑ์ ผู้ผลิต ลักษณะ ดู
IXGP30N60B4D1 Image IXGP30N60B4D1 IXYS IGBT 600V 56A 190W TO220 การสอบสวน
IRG4BC20UDSTRRP Image IRG4BC20UDSTRRP Infineon Technologies IGBT 600V 13A 60W D2PAK การสอบสวน
GT60N321(Q) Toshiba Semiconductor and Storage IGBT 1000V 60A 170W TO3P LH การสอบสวน
FGH40N60SFDTU Image FGH40N60SFDTU Fairchild/ON Semiconductor IGBT 600V 80A 290W TO247 การสอบสวน
IXGP30N60B2 Image IXGP30N60B2 IXYS IGBT 600V 70A 190W TO220 การสอบสวน
IXGP30N60C2 Image IXGP30N60C2 IXYS IGBT 600V 70A 190W TO220 การสอบสวน
ISL9V5036P3_F085 Image ISL9V5036P3_F085 Fairchild/ON Semiconductor IGBT 390V 46A 250W TO220AA-3 การสอบสวน
IXGP30N60C3 Image IXGP30N60C3 IXYS IGBT 600V 60A 220W TO220AB การสอบสวน
IXGY2N120 IXYS IGBT 1200V 5A 25W TO252AA การสอบสวน
IXGP30N60C3C1 Image IXGP30N60C3C1 IXYS IGBT 600V 60A 220W TO220 การสอบสวน
STGWT30H60DFB Image STGWT30H60DFB STMicroelectronics IGBT 600V 60A 260W TO3PL การสอบสวน
RJH60D0DPK-00#T0 Image RJH60D0DPK-00#T0 Renesas Electronics America IGBT 600V 45A 140W TO3P การสอบสวน
IXGP30N60C3D4 Image IXGP30N60C3D4 IXYS IGBT 600V 60A 220W TO220AB การสอบสวน
APT70GR65B Image APT70GR65B Microsemi Corporation IGBT 650V 134A 595W TO-247 การสอบสวน

ข่าว Latest