ภาษาไทย
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
เกี่ยวกับเรา | ติดต่อเรา | ขอใบเสนอราคา |
บ้าน > ศูนย์ผลิตภัณฑ์ > Discrete Semiconductor ผลิตภัณฑ์ > ทรานซิสเตอร์ - IGBT - เดี่ยว > IXGF32N170
IXGF32N170
รุ่นผลิตภัณฑ์:
IXGF32N170
ผู้ผลิต:
IXYS Corporation
ลักษณะ:
IGBT 1700V 44A 200W I4PAC
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
16501 Pieces
แผ่นข้อมูล:
IXGF32N170.pdf
การสอบสวน

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ IXGF32N170 เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา IXGF32N170 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ IXGF32N170 กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด):1700V
VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี:3.5V @ 15V, 32A
ทดสอบสภาพ:1020V, 32A, 2.7 Ohm, 15V
Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C:45ns/270ns
การสลับพลังงาน:10.6mJ (off)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:ISOPLUS i4-PAC™
ชุด:-
เพาเวอร์ - แม็กซ์:200W
บรรจุภัณฑ์:Tube
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:i4-Pac™-5 (3 leads)
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Through Hole
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน:8 Weeks
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:IXGF32N170
ประเภทขาเข้า:Standard
ประเภท IGBT:NPT
ค่าใช้จ่ายประตู:146nC
ขยายคำอธิบาย:IGBT NPT 1700V 44A 200W Through Hole ISOPLUS i4-PAC™
ลักษณะ:IGBT 1700V 44A 200W I4PAC
ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM):200A
ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด):44A
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ IXGF32N170

ภาพ รุ่นผลิตภัณฑ์ ผู้ผลิต ลักษณะ ดู
IRG4BC10SD-SPBF Image IRG4BC10SD-SPBF Infineon Technologies IGBT 600V 14A 38W D2PAK การสอบสวน
RJH60M2DPE-00#J3 Image RJH60M2DPE-00#J3 Renesas Electronics America IGBT 600V 25A 63W LDPAK การสอบสวน
IKW25N120H3FKSA1 Image IKW25N120H3FKSA1 Infineon Technologies IGBT 1200V 50A 326W TO247-3 การสอบสวน
IXGF30N400 Image IXGF30N400 IXYS IGBT 4000V 30A 160W I4-PAK การสอบสวน
IXGF36N300 Image IXGF36N300 IXYS IGBT 3000V 36A 160W I4-PAK การสอบสวน
APT15GN120KG Microsemi Corporation IGBT 1200V 45A 195W TO220 การสอบสวน
IXGA30N120B3 Image IXGA30N120B3 IXYS IGBT 1200V 60A 300W TO263 การสอบสวน
STGB7NB60KDT4 Image STGB7NB60KDT4 STMicroelectronics IGBT 600V 14A 80W D2PAK การสอบสวน
FGH60N60SMD Image FGH60N60SMD Fairchild/ON Semiconductor IGBT 600V 120A 600W TO247 การสอบสวน
STGB10NC60KT4 Image STGB10NC60KT4 STMicroelectronics IGBT 600V 20A 65W D2PAK การสอบสวน
IRG4BC20SDPBF Image IRG4BC20SDPBF Infineon Technologies IGBT 600V 19A 60W TO220AB การสอบสวน
IXER60N120 Image IXER60N120 IXYS IGBT 1200V 95A 375W ISOPLUS247 การสอบสวน
NGTB30N120L2WG Image NGTB30N120L2WG ON Semiconductor IGBT 1200V 60A 534W TO247 การสอบสวน

ข่าว Latest