IXFX64N60Q3
IXFX64N60Q3
รุ่นผลิตภัณฑ์:
IXFX64N60Q3
ผู้ผลิต:
IXYS Corporation
ลักษณะ:
MOSFET N-CH 600V 64A PLUS247
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
17653 Pieces
แผ่นข้อมูล:
IXFX64N60Q3.pdf

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ IXFX64N60Q3 เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา IXFX64N60Q3 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ IXFX64N60Q3 กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:6.5V @ 4mA
Vgs (สูงสุด):±30V
เทคโนโลยี:MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:PLUS247™-3
ชุด:HiPerFET™
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:95 mOhm @ 32A, 10V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด):1250W (Tc)
บรรจุภัณฑ์:Tube
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:TO-247-3
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Through Hole
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน:8 Weeks
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:IXFX64N60Q3
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:9930pF @ 25V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:190nC @ 10V
ประเภท FET:N-Channel
คุณสมบัติ FET:-
ขยายคำอธิบาย:N-Channel 600V 64A (Tc) 1250W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On):10V
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):600V
ลักษณะ:MOSFET N-CH 600V 64A PLUS247
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:64A (Tc)
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ