ซื้อ IXFT50N85XHV กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id: | 5.5V @ 4mA |
---|---|
Vgs (สูงสุด): | ±30V |
เทคโนโลยี: | MOSFET (Metal Oxide) |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | TO-268 |
ชุด: | HiPerFET™ |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs: | 105 mOhm @ 500mA, 10V |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด): | 890W (Tc) |
บรรจุภัณฑ์: | Tube |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 8 Weeks |
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | IXFT50N85XHV |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds: | 4480pF @ 25V |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs: | 152nC @ 10V |
ประเภท FET: | N-Channel |
คุณสมบัติ FET: | - |
ขยายคำอธิบาย: | N-Channel 850V 50A (Tc) 890W (Tc) Surface Mount TO-268 |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On): | 10V |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss): | 850V |
ลักษณะ: | 850V/50A ULTRA JUNCTION X-CLASS |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส: | 50A (Tc) |
Email: | [email protected] |