ซื้อ IXFP5N50PM กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id: | 5.5V @ 500µA |
---|---|
เทคโนโลยี: | MOSFET (Metal Oxide) |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | TO-220AB |
ชุด: | HiPerFET™, PolarHT™ |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs: | 1.4 Ohm @ 2.5A, 10V |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด): | 38W (Tc) |
บรรจุภัณฑ์: | Tube |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | TO-220-3 |
อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
ประเภทการติดตั้ง: | Through Hole |
ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 8 Weeks |
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | IXFP5N50PM |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds: | 620pF @ 25V |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs: | 12.6nC @ 10V |
ประเภท FET: | N-Channel |
คุณสมบัติ FET: | - |
ขยายคำอธิบาย: | N-Channel 500V 3.2A (Tc) 38W (Tc) Through Hole TO-220AB |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss): | 500V |
ลักษณะ: | MOSFET N-CH 500V 3.2A TO-220 |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส: | 3.2A (Tc) |
Email: | [email protected] |