IXFK80N65X2
IXFK80N65X2
รุ่นผลิตภัณฑ์:
IXFK80N65X2
ผู้ผลิต:
IXYS Corporation
ลักษณะ:
MOSFET N-CH 650V 80A TO-264
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
17779 Pieces
แผ่นข้อมูล:
IXFK80N65X2.pdf

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ IXFK80N65X2 เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา IXFK80N65X2 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ IXFK80N65X2 กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:5.5V @ 4mA
Vgs (สูงสุด):±30V
เทคโนโลยี:MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:TO-264
ชุด:HiPerFET™
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:40 mOhm @ 40A, 10V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด):890W (Tc)
บรรจุภัณฑ์:Tube
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:TO-264-3, TO-264AA
ชื่ออื่น:IXFK80N65X2X
IXFK80N65X2X-ND
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Through Hole
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน:8 Weeks
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:IXFK80N65X2
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:8245pF @ 25V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:143nC @ 10V
ประเภท FET:N-Channel
คุณสมบัติ FET:-
ขยายคำอธิบาย:N-Channel 650V 80A (Tc) 890W (Tc) Through Hole TO-264
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On):10V
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):650V
ลักษณะ:MOSFET N-CH 650V 80A TO-264
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:80A (Tc)
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ