ซื้อ IXFB100N50P กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน
IXFB100N50P
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- IXFB100N50P
- ผู้ผลิต:
- IXYS Corporation
- ลักษณะ:
- MOSFET N-CH 500V 100A PLUS264
- สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณที่มีจำหน่าย:
- 17407 Pieces
- แผ่นข้อมูล:
- IXFB100N50P.pdf
บทนำ
BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ IXFB100N50P เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา IXFB100N50P ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ขนาด
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id: | 5V @ 8mA |
|---|---|
| Vgs (สูงสุด): | ±30V |
| เทคโนโลยี: | MOSFET (Metal Oxide) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | PLUS264™ |
| ชุด: | HiPerFET™, PolarHT™ |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs: | 49 mOhm @ 50A, 10V |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด): | 1890W (Tc) |
| บรรจุภัณฑ์: | Tube |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | TO-264-3, TO-264AA |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | - |
| ประเภทการติดตั้ง: | Through Hole |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | IXFB100N50P |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds: | 20000pF @ 25V |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs: | 240nC @ 10V |
| ประเภท FET: | N-Channel |
| คุณสมบัติ FET: | - |
| ขยายคำอธิบาย: | N-Channel 500V 100A (Tc) 1890W (Tc) Through Hole PLUS264™ |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On): | 10V |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss): | 500V |
| ลักษณะ: | MOSFET N-CH 500V 100A PLUS264 |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส: | 100A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ IXFB100N50P
| ภาพ | รุ่นผลิตภัณฑ์ | ผู้ผลิต | ลักษณะ | ดู |
|---|---|---|---|---|
 |
IXFB132N50P3 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 132A PLUS264 | การสอบสวน |
 |
NTMFS4C250NT1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 11A SO8FL | การสอบสวน |
 |
TPH3208PS | Transphorm | GAN FET 650V 20A TO220 | การสอบสวน |
|
IXFB100N50Q3 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 100A PLUS264 | การสอบสวน |
 |
CSD17551Q5A | Texas Instruments | MOSFET N-CH 30V 8SON | การสอบสวน |
 |
FDU8796_F071 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 25V 35A IPAK | การสอบสวน |
 |
DMN66D0LW-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT323 | การสอบสวน |
 |
IXFH88N20Q | IXYS | MOSFET N-CH 200V 88A TO-247 | การสอบสวน |
|
IXFB110N60P3 | IXYS | MOSFET N-CH 600V 110A PLUS264 | การสอบสวน |
 |
FQP5N50C | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 500V 5A TO-220 | การสอบสวน |
|
IXFB120N50P2 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 120A PLUS264 | การสอบสวน |
|
IXFB170N30P | IXYS | MOSFET N-CH TO-264 | การสอบสวน |
|
IXFB150N65X2 | IXYS | MOSFET N-CH 650V 150A PLUS264 | การสอบสวน |
 |
IXFV18N90PS | IXYS | MOSFET N-CH 900V 18A PLUS220SMD | การสอบสวน |
 |
IRFL9014TR | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 60V 1.8A SOT223 | การสอบสวน |
 |
BSP89 E6327 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 240V 350MA SOT-223 | การสอบสวน |
ข่าว Latest
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog