IXFA3N80
IXFA3N80
รุ่นผลิตภัณฑ์:
IXFA3N80
ผู้ผลิต:
IXYS Corporation
ลักษณะ:
MOSFET N-CH 800V 3.6A TO-263
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
14510 Pieces
แผ่นข้อมูล:
IXFA3N80.pdf

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ IXFA3N80 เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา IXFA3N80 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ IXFA3N80 กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:4.5V @ 1mA
เทคโนโลยี:MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:TO-263 (IXFA)
ชุด:HiPerFET™
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:3.6 Ohm @ 500mA, 10V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด):100W (Tc)
บรรจุภัณฑ์:Tube
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Surface Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:IXFA3N80
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:685pF @ 25V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:24nC @ 10V
ประเภท FET:N-Channel
คุณสมบัติ FET:-
ขยายคำอธิบาย:N-Channel 800V 3.6A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount TO-263 (IXFA)
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):800V
ลักษณะ:MOSFET N-CH 800V 3.6A TO-263
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:3.6A (Tc)
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ