ภาษาไทย
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
เกี่ยวกับเรา | ติดต่อเรา | ขอใบเสนอราคา |
บ้าน > ศูนย์ผลิตภัณฑ์ > Discrete Semiconductor ผลิตภัณฑ์ > ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFET - Single > IXFA180N10T2
IXFA180N10T2
IXFA180N10T2
รุ่นผลิตภัณฑ์:
IXFA180N10T2
ผู้ผลิต:
IXYS Corporation
ลักษณะ:
MOSFET N-CH 100V 180A TO-263AA
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
13030 Pieces
แผ่นข้อมูล:
IXFA180N10T2.pdf
การสอบสวน

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ IXFA180N10T2 เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา IXFA180N10T2 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ IXFA180N10T2 กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:4V @ 250µA
เทคโนโลยี:MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:TO-263 (IXFA)
ชุด:GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:6 mOhm @ 50A, 10V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด):480W (Tc)
บรรจุภัณฑ์:Tube
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Surface Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน:8 Weeks
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:IXFA180N10T2
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:10500pF @ 25V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:185nC @ 10V
ประเภท FET:N-Channel
คุณสมบัติ FET:-
ขยายคำอธิบาย:N-Channel 100V 180A (Tc) 480W (Tc) Surface Mount TO-263 (IXFA)
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):100V
ลักษณะ:MOSFET N-CH 100V 180A TO-263AA
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:180A (Tc)
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ IXFA180N10T2

ภาพ รุ่นผลิตภัณฑ์ ผู้ผลิต ลักษณะ ดู
AUXTLR3110Z Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V DPAK การสอบสวน
IXFA16N50P Image IXFA16N50P IXYS MOSFET N-CH 500V 16A D2-PAK การสอบสวน
IXFA10N60P Image IXFA10N60P IXYS MOSFET N-CH 600V 10A D2-PAK การสอบสวน
RE1E002SPTCL Image RE1E002SPTCL Rohm Semiconductor MOSFET P-CH 30V 0.25A EMT3 การสอบสวน
IXFA130N10T2 Image IXFA130N10T2 IXYS MOSFET N-CH 100V 130A TO-263AA การสอบสวน
IXFA130N10T Image IXFA130N10T IXYS MOSFET N-CH 100V 130A D2PAK การสอบสวน
IXFA14N60P3 Image IXFA14N60P3 IXYS MOSFET N-CH 600V 14A TO-263AA การสอบสวน
IXFA10N80P Image IXFA10N80P IXYS MOSFET N-CH 800V 10A TO-263 การสอบสวน
IRL3502 Image IRL3502 Infineon Technologies MOSFET N-CH 20V 110A TO-220AB การสอบสวน
IXFA14N85XHV Image IXFA14N85XHV IXYS MOSFET N-CH 850V 14A TO263-3 การสอบสวน
IPP65R190E6XKSA1 Image IPP65R190E6XKSA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220 การสอบสวน
IXFA18N60X Image IXFA18N60X IXYS MOSFET N-CH 600V 18A TO-263AA การสอบสวน
IXFA12N50P Image IXFA12N50P IXYS MOSFET N-CH 500V 12A D2-PAK การสอบสวน
IXFA16N60P3 Image IXFA16N60P3 IXYS MOSFET N-CH 600V 16A TO-263AA การสอบสวน
IXFA110N15T2 Image IXFA110N15T2 IXYS MOSFET N-CH 150V 110A D2PAK การสอบสวน
IXFA102N15T Image IXFA102N15T IXYS MOSFET N-CH 150V 102A D2PAK การสอบสวน
IXFA14N60P Image IXFA14N60P IXYS MOSFET N-CH 600V 14A D2-PAK การสอบสวน
IXFA16N50P3 Image IXFA16N50P3 IXYS MOSFET N-CH 500V 16A TO-263AA การสอบสวน
IRLMS1902TRPBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 20V 3.2A 6-TSOP การสอบสวน

ข่าว Latest