ภาษาไทย
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
เกี่ยวกับเรา | ติดต่อเรา | ขอใบเสนอราคา |
บ้าน > ศูนย์ผลิตภัณฑ์ > Discrete Semiconductor ผลิตภัณฑ์ > ทรานซิสเตอร์ - IGBT - เดี่ยว > IXBT32N300
IXBT32N300
IXBT32N300
รุ่นผลิตภัณฑ์:
IXBT32N300
ผู้ผลิต:
IXYS Corporation
ลักษณะ:
IGBT 3000V 80A 400W TO268
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
18591 Pieces
แผ่นข้อมูล:
IXBT32N300.pdf
การสอบสวน

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ IXBT32N300 เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา IXBT32N300 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ IXBT32N300 กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด):3000V
VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี:3.2V @ 15V, 32A
ทดสอบสภาพ:-
Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C:-
การสลับพลังงาน:-
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:TO-268
ชุด:BIMOSFET™
ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR):1.5µs
เพาเวอร์ - แม็กซ์:400W
บรรจุภัณฑ์:Tube
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Surface Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน:10 Weeks
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:IXBT32N300
ประเภทขาเข้า:Standard
ประเภท IGBT:-
ค่าใช้จ่ายประตู:142nC
ขยายคำอธิบาย:IGBT 3000V 80A 400W Surface Mount TO-268
ลักษณะ:IGBT 3000V 80A 400W TO268
ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM):280A
ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด):80A
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ IXBT32N300

ภาพ รุ่นผลิตภัณฑ์ ผู้ผลิต ลักษณะ ดู
IXST40N60B2D1 Image IXST40N60B2D1 IXYS IGBT 600V 48A TO268 การสอบสวน
IGW30N60TPXKSA1 Image IGW30N60TPXKSA1 Infineon Technologies IGBT 600V 53A 200W TO247 การสอบสวน
FGPF45N45TTU Image FGPF45N45TTU Fairchild/ON Semiconductor IGBT 450V 51.6W TO220F การสอบสวน
TIG062E8-TL-H Image TIG062E8-TL-H ON Semiconductor IGBT 400V ECH8 การสอบสวน
RGT50TS65DGC11 Image RGT50TS65DGC11 Rohm Semiconductor IGBT 650V 48A 174W TO-247N การสอบสวน
IHW40N120R3FKSA1 Image IHW40N120R3FKSA1 Infineon Technologies IGBT 1200V 80A 429W TO247-3 การสอบสวน
IRGB4715DPBF Image IRGB4715DPBF Infineon Technologies IGBT 650V TO-220AB การสอบสวน
IXGR50N60B2D1 Image IXGR50N60B2D1 IXYS IGBT 600V 68A 200W ISOPLUS247 การสอบสวน
IXDH20N120D1 Image IXDH20N120D1 IXYS IGBT 1200V 38A 200W TO247AD การสอบสวน
NGTB40N60IHLWG Image NGTB40N60IHLWG ON Semiconductor IGBT 600V 40A TO247 การสอบสวน
IXGA16N60B2D1 Image IXGA16N60B2D1 IXYS IGBT 600V 40A 150W TO263 การสอบสวน
SGP02N120XKSA1 Image SGP02N120XKSA1 Infineon Technologies IGBT 1200V 6.2A 62W TO220-3 การสอบสวน
STGW38IH130D Image STGW38IH130D STMicroelectronics IGBT 1300V 63A 250W TO247 การสอบสวน
NGTB40N65FL2WG Image NGTB40N65FL2WG ON Semiconductor IGBT 650V 80A 366W TO247 การสอบสวน

ข่าว Latest