ภาษาไทย
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
เกี่ยวกับเรา | ติดต่อเรา | ขอใบเสนอราคา |
บ้าน > ศูนย์ผลิตภัณฑ์ > Discrete Semiconductor ผลิตภัณฑ์ > ทรานซิสเตอร์ - IGBT - เดี่ยว > IXBA14N300HV
IXBA14N300HV
IXBA14N300HV
รุ่นผลิตภัณฑ์:
IXBA14N300HV
ผู้ผลิต:
IXYS Corporation
ลักษณะ:
REVERSE CONDUCTING IGBT
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
17325 Pieces
แผ่นข้อมูล:
IXBA14N300HV.pdf
การสอบสวน

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ IXBA14N300HV เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา IXBA14N300HV ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ IXBA14N300HV กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด):3000V
VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี:2.7V @ 15V, 14A
ทดสอบสภาพ:960V, 14A, 20 Ohm, 15V
Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C:40ns/166ns
การสลับพลังงาน:-
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:TO-263
ชุด:BIMOSFET™
ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR):1.4µs
เพาเวอร์ - แม็กซ์:200W
บรรจุภัณฑ์:Tube
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Surface Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน:8 Weeks
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:IXBA14N300HV
ประเภทขาเข้า:Standard
ประเภท IGBT:NPT
ค่าใช้จ่ายประตู:62nC
ขยายคำอธิบาย:IGBT NPT 3000V 38A 200W Surface Mount TO-263
ลักษณะ:REVERSE CONDUCTING IGBT
ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM):120A
ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด):38A
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ IXBA14N300HV

ภาพ รุ่นผลิตภัณฑ์ ผู้ผลิต ลักษณะ ดู
APT45GR65SSCD10 Microsemi Corporation INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO การสอบสวน
STGW60V60DLF Image STGW60V60DLF STMicroelectronics IGBT BIPO 600V 60A TO247 การสอบสวน
AUIRGP65G40D0 Image AUIRGP65G40D0 Infineon Technologies IGBT 600V 62A 625W TO247 การสอบสวน
STGWT60H65DFB Image STGWT60H65DFB STMicroelectronics IGBT 650V 80A 375W TO3P-3L การสอบสวน
IRG4BC20KD-STRR Image IRG4BC20KD-STRR Infineon Technologies IGBT 600V 16A 60W D2PAK การสอบสวน
IXGH32N60AU1 Image IXGH32N60AU1 IXYS IGBT 600V 60A 200W TO247AD การสอบสวน
IHW30N100TFKSA1 Image IHW30N100TFKSA1 Infineon Technologies IGBT 1000V 60A 412W TO247-3 การสอบสวน
IRGB20B60PD1PBF Image IRGB20B60PD1PBF Infineon Technologies IGBT 600V 40A 215W TO220AB การสอบสวน
IXGP20N60B Image IXGP20N60B IXYS IGBT 600V 40A 150W TO220AB การสอบสวน
SGR15N40LTM Image SGR15N40LTM Fairchild/ON Semiconductor IGBT 400V 45W DPAK การสอบสวน
IXGT35N120B Image IXGT35N120B IXYS IGBT 1200V 70A 300W TO268 การสอบสวน
IRG8P60N120KD-EPBF Image IRG8P60N120KD-EPBF Infineon Technologies IGBT 1200V 100A 420W TO-247AD การสอบสวน
SGF5N150UFTU Fairchild/ON Semiconductor IGBT 1500V 10A 62.5W TO3PF การสอบสวน

ข่าว Latest