ISL9N303AS3ST
ISL9N303AS3ST
รุ่นผลิตภัณฑ์:
ISL9N303AS3ST
ผู้ผลิต:
Fairchild/ON Semiconductor
ลักษณะ:
MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
13033 Pieces
แผ่นข้อมูล:
ISL9N303AS3ST.pdf

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ ISL9N303AS3ST เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา ISL9N303AS3ST ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ ISL9N303AS3ST กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:3V @ 250µA
เทคโนโลยี:MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:D²PAK (TO-263AB)
ชุด:UltraFET™
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:3.2 mOhm @ 75A, 10V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด):215W (Tc)
บรรจุภัณฑ์:Tape & Reel (TR)
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Surface Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:ISL9N303AS3ST
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:7000pF @ 15V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:172nC @ 10V
ประเภท FET:N-Channel
คุณสมบัติ FET:-
ขยายคำอธิบาย:N-Channel 30V 75A (Tc) 215W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):30V
ลักษณะ:MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:75A (Tc)
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ