IRLS3813PBF
IRLS3813PBF
รุ่นผลิตภัณฑ์:
IRLS3813PBF
ผู้ผลิต:
International Rectifier (Infineon Technologies)
ลักษณะ:
MOSFET N-CH 30V 160A D2PAK
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
18199 Pieces
แผ่นข้อมูล:
IRLS3813PBF.pdf

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ IRLS3813PBF เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา IRLS3813PBF ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ IRLS3813PBF กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:2.35V @ 150µA
เทคโนโลยี:MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:D2PAK
ชุด:HEXFET®
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:1.95 mOhm @ 148A, 10V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด):195W (Tc)
บรรจุภัณฑ์:Tube
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ชื่ออื่น:SP001576946
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Surface Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:IRLS3813PBF
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:8020pF @ 25V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:83nC @ 4.5V
ประเภท FET:N-Channel
คุณสมบัติ FET:-
ขยายคำอธิบาย:N-Channel 30V 160A (Tc) 195W (Tc) Surface Mount D2PAK
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):30V
ลักษณะ:MOSFET N-CH 30V 160A D2PAK
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:160A (Tc)
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ