IRFHS8342TRPBF
IRFHS8342TRPBF
รุ่นผลิตภัณฑ์:
IRFHS8342TRPBF
ผู้ผลิต:
International Rectifier (Infineon Technologies)
ลักษณะ:
MOSFET N-CH 30V 8.8A PQFN
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
19769 Pieces
แผ่นข้อมูล:
IRFHS8342TRPBF.pdf

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ IRFHS8342TRPBF เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา IRFHS8342TRPBF ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ IRFHS8342TRPBF กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:2.35V @ 25µA
Vgs (สูงสุด):±20V
เทคโนโลยี:MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:8-PQFN (2x2)
ชุด:HEXFET®
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:16 mOhm @ 8.5A, 10V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด):2.1W (Ta)
บรรจุภัณฑ์:Tape & Reel (TR)
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:8-PowerVDFN
ชื่ออื่น:IRFHS8342TRPBF-ND
IRFHS8342TRPBFTR
SP001556608
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Surface Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน:12 Weeks
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:IRFHS8342TRPBF
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:600pF @ 25V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:8.7nC @ 10V
ประเภท FET:N-Channel
คุณสมบัติ FET:-
ขยายคำอธิบาย:N-Channel 30V 8.8A (Ta), 19A (Tc) 2.1W (Ta) Surface Mount 8-PQFN (2x2)
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):30V
ลักษณะ:MOSFET N-CH 30V 8.8A PQFN
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:8.8A (Ta), 19A (Tc)
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ