IRFH8337TRPBF
IRFH8337TRPBF
รุ่นผลิตภัณฑ์:
IRFH8337TRPBF
ผู้ผลิต:
International Rectifier (Infineon Technologies)
ลักษณะ:
MOSFET N-CH 30V 12A 5X6 PQFN
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
16198 Pieces
แผ่นข้อมูล:
IRFH8337TRPBF.pdf

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ IRFH8337TRPBF เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา IRFH8337TRPBF ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ IRFH8337TRPBF กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:2.35V @ 25µA
Vgs (สูงสุด):±20V
เทคโนโลยี:MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:PQFN (5x6)
ชุด:HEXFET®
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:12.8 mOhm @ 16.2A, 10V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด):3.2W (Ta), 27W (Tc)
บรรจุภัณฑ์:Original-Reel®
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:8-PowerTDFN
ชื่ออื่น:IRFH8337TRPBFDKR
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Surface Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน:16 Weeks
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:IRFH8337TRPBF
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:790pF @ 10V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:10nC @ 10V
ประเภท FET:N-Channel
คุณสมบัติ FET:-
ขยายคำอธิบาย:N-Channel 30V 12A (Ta), 35A (Tc) 3.2W (Ta), 27W (Tc) Surface Mount PQFN (5x6)
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):30V
ลักษณะ:MOSFET N-CH 30V 12A 5X6 PQFN
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:12A (Ta), 35A (Tc)
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ