ซื้อ IRFB4110GPBF กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id: | 4V @ 250µA |
---|---|
Vgs (สูงสุด): | ±20V |
เทคโนโลยี: | MOSFET (Metal Oxide) |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | TO-220AB |
ชุด: | HEXFET® |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs: | 4.5 mOhm @ 75A, 10V |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด): | 370W (Tc) |
บรรจุภัณฑ์: | Tube |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | TO-220-3 |
ชื่ออื่น: | SP001556050 |
อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
ประเภทการติดตั้ง: | Through Hole |
ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | IRFB4110GPBF |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds: | 9620pF @ 50V |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs: | 210nC @ 10V |
ประเภท FET: | N-Channel |
คุณสมบัติ FET: | - |
ขยายคำอธิบาย: | N-Channel 100V 120A (Tc) 370W (Tc) Through Hole TO-220AB |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On): | 10V |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss): | 100V |
ลักษณะ: | MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส: | 120A (Tc) |
Email: | [email protected] |