IRF6641TRPBF
IRF6641TRPBF
รุ่นผลิตภัณฑ์:
IRF6641TRPBF
ผู้ผลิต:
International Rectifier (Infineon Technologies)
ลักษณะ:
MOSFET N-CH 200V 4.6A DIRECTFET
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
17506 Pieces
แผ่นข้อมูล:
IRF6641TRPBF.pdf

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ IRF6641TRPBF เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา IRF6641TRPBF ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ IRF6641TRPBF กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:4.9V @ 150µA
เทคโนโลยี:MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:DIRECTFET™ MZ
ชุด:HEXFET®
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:59.9 mOhm @ 5.5A, 10V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด):2.8W (Ta), 89W (Tc)
บรรจุภัณฑ์:Tape & Reel (TR)
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:DirectFET™ Isometric MZ
ชื่ออื่น:IRF6641TRPBF-ND
IRF6641TRPBFTR
SP001559700
อุณหภูมิในการทำงาน:-40°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Surface Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน:12 Weeks
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:IRF6641TRPBF
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:2290pF @ 25V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:48nC @ 10V
ประเภท FET:N-Channel
คุณสมบัติ FET:-
ขยายคำอธิบาย:N-Channel 200V 4.6A (Ta), 26A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MZ
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):200V
ลักษณะ:MOSFET N-CH 200V 4.6A DIRECTFET
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:4.6A (Ta), 26A (Tc)
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ