IRF640PBF
IRF640PBF
รุ่นผลิตภัณฑ์:
IRF640PBF
ผู้ผลิต:
Vishay / Siliconix
ลักษณะ:
MOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
19728 Pieces
แผ่นข้อมูล:
1.IRF640PBF.pdf2.IRF640PBF.pdf

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ IRF640PBF เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา IRF640PBF ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ IRF640PBF กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (สูงสุด):±20V
เทคโนโลยี:MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:TO-220AB
ชุด:-
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:180 mOhm @ 11A, 10V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด):125W (Tc)
บรรจุภัณฑ์:Bulk
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:TO-220-3
ชื่ออื่น:*IRF640PBF
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Through Hole
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน:11 Weeks
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:IRF640PBF
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:1300pF @ 25V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:70nC @ 10V
ประเภท FET:N-Channel
คุณสมบัติ FET:-
ขยายคำอธิบาย:N-Channel 200V 18A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On):10V
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):200V
ลักษณะ:MOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:18A (Tc)
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ