IRF630STRLPBF
IRF630STRLPBF
รุ่นผลิตภัณฑ์:
IRF630STRLPBF
ผู้ผลิต:
Vishay / Siliconix
ลักษณะ:
MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
14205 Pieces
แผ่นข้อมูล:
IRF630STRLPBF.pdf

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ IRF630STRLPBF เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา IRF630STRLPBF ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ IRF630STRLPBF กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (สูงสุด):±20V
เทคโนโลยี:MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:D²PAK (TO-263)
ชุด:-
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:400 mOhm @ 5.4A, 10V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด):3W (Ta), 74W (Tc)
บรรจุภัณฑ์:Original-Reel®
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ชื่ออื่น:IRF630STRLPBFDKR
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Surface Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน:11 Weeks
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:IRF630STRLPBF
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:800pF @ 25V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:43nC @ 10V
ประเภท FET:N-Channel
คุณสมบัติ FET:-
ขยายคำอธิบาย:N-Channel 200V 9A (Tc) 3W (Ta), 74W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On):10V
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):200V
ลักษณะ:MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:9A (Tc)
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ