ภาษาไทย
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
เกี่ยวกับเรา | ติดต่อเรา | ขอใบเสนอราคา |
บ้าน > ศูนย์ผลิตภัณฑ์ > Discrete Semiconductor ผลิตภัณฑ์ > ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFET - Single > IPU60R1K5CEAKMA2
IPU60R1K5CEAKMA2
IPU60R1K5CEAKMA2
รุ่นผลิตภัณฑ์:
IPU60R1K5CEAKMA2
ผู้ผลิต:
International Rectifier (Infineon Technologies)
ลักษณะ:
MOSFET N-CH 600V 3.1A TO-251-3
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
14529 Pieces
แผ่นข้อมูล:
IPU60R1K5CEAKMA2.pdf
การสอบสวน

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ IPU60R1K5CEAKMA2 เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา IPU60R1K5CEAKMA2 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ IPU60R1K5CEAKMA2 กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:3.5V @ 90µA
เทคโนโลยี:MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:PG-TO251
ชุด:CoolMOS™ CE
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:1.5 Ohm @ 1.1A, 10V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด):49W (Tc)
บรรจุภัณฑ์:Tube
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
ชื่ออื่น:SP001396898
อุณหภูมิในการทำงาน:-40°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Surface Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):3 (168 Hours)
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน:6 Weeks
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:IPU60R1K5CEAKMA2
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:200pF @ 100V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:9.4nC @ 10V
ประเภท FET:N-Channel
คุณสมบัติ FET:-
ขยายคำอธิบาย:N-Channel 600V 3.1A (Tc) 49W (Tc) Surface Mount PG-TO251
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):600V
ลักษณะ:MOSFET N-CH 600V 3.1A TO-251-3
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:3.1A (Tc)
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ IPU60R1K5CEAKMA2

ภาพ รุ่นผลิตภัณฑ์ ผู้ผลิต ลักษณะ ดู
IPU60R1K0CEAKMA2 Image IPU60R1K0CEAKMA2 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V 4.3A TO-251-3 การสอบสวน
IPU60R1K4C6AKMA1 Image IPU60R1K4C6AKMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V TO-251-3 การสอบสวน
IPU60R1K4C6BKMA1 Image IPU60R1K4C6BKMA1 Infineon Technologies MOSFET NCH 600V 3.2A TO251 การสอบสวน
IPU60R1K5CEBKMA1 Image IPU60R1K5CEBKMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V TO-251-3 การสอบสวน
IPU60R2K1CEBKMA1 Image IPU60R2K1CEBKMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V TO-251-3 การสอบสวน
IPU60R1K0CEAKMA1 Image IPU60R1K0CEAKMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V TO-251-3 การสอบสวน
IPU60R950C6AKMA1 Image IPU60R950C6AKMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V 4.4A TO251 การสอบสวน
IPU60R1K5CEAKMA1 Image IPU60R1K5CEAKMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V TO-251-3 การสอบสวน
IPU60R600C6BKMA1 Image IPU60R600C6BKMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V 7.3A TO-251 การสอบสวน
IPU60R1K0CEBKMA1 Image IPU60R1K0CEBKMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V TO-251-3 การสอบสวน
IPU60R600C6AKMA1 Image IPU60R600C6AKMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V 7.3A TO251 การสอบสวน
IPU60R2K0C6BKMA1 Image IPU60R2K0C6BKMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V 2.4A TO-251 การสอบสวน

ข่าว Latest