ซื้อ IPP70N10S312AKSA1 กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน
IPP70N10S312AKSA1
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- IPP70N10S312AKSA1
- ลักษณะ:
- MOSFET N-CH 100V 70A TO220-3
- สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณที่มีจำหน่าย:
- 19518 Pieces
- แผ่นข้อมูล:
- IPP70N10S312AKSA1.pdf
บทนำ
BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ IPP70N10S312AKSA1 เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา IPP70N10S312AKSA1 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ขนาด
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id: | 4V @ 83µA |
|---|---|
| Vgs (สูงสุด): | ±20V |
| เทคโนโลยี: | MOSFET (Metal Oxide) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | PG-TO220-3-1 |
| ชุด: | OptiMOS™ |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs: | 11.6 mOhm @ 70A, 10V |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด): | 125W (Tc) |
| บรรจุภัณฑ์: | Tube |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | TO-220-3 |
| ชื่ออื่น: | IPP70N10S3-12 IPP70N10S3-12-ND IPP70N10S312 SP000407122 |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| ประเภทการติดตั้ง: | Through Hole |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | IPP70N10S312AKSA1 |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds: | 4355pF @ 25V |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs: | 66nC @ 10V |
| ประเภท FET: | N-Channel |
| คุณสมบัติ FET: | - |
| ขยายคำอธิบาย: | N-Channel 100V 70A (Tc) 125W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1 |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On): | 10V |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss): | 100V |
| ลักษณะ: | MOSFET N-CH 100V 70A TO220-3 |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส: | 70A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ IPP70N10S312AKSA1
| ภาพ | รุ่นผลิตภัณฑ์ | ผู้ผลิต | ลักษณะ | ดู |
|---|---|---|---|---|
 |
IRFU9014N | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 60V 5.1A I-PAK | การสอบสวน |
 |
IPP70N10S3L12AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 70A TO220-3 | การสอบสวน |
|
IPP70N10SL16AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 70A TO220-3 | การสอบสวน |
 |
BUK7Y15-100EX | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 100V 68A LFPAK | การสอบสวน |
 |
IRFI634G | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 250V 5.6A TO220FP | การสอบสวน |
 |
IPP70N12S3L12AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CHANNEL_100+ | การสอบสวน |
|
IPP70N12S311AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CHANNEL_100+ | การสอบสวน |
|
IPP70P04P409AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH TO220-3 | การสอบสวน |
 |
RJL5014DPK-00#T0 | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 500V 19A TO3P | การสอบสวน |
|
IPP70N04S307AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3 | การสอบสวน |
 |
SI7469DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 80V 28A PPAK SO-8 | การสอบสวน |
|
IPP70N04S406AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 70A TO220-3-1 | การสอบสวน |
 |
PH1330AL,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK | การสอบสวน |
ข่าว Latest
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog