ซื้อ IPP10N03LB G กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id: | 2V @ 20µA |
---|---|
เทคโนโลยี: | MOSFET (Metal Oxide) |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | PG-TO220-3-1 |
ชุด: | OptiMOS™ |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs: | 9.9 mOhm @ 50A, 10V |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด): | 58W (Tc) |
บรรจุภัณฑ์: | Tube |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | TO-220-3 |
ชื่ออื่น: | IPP10N03LB G-ND IPP10N03LBGIN IPP10N03LBGX IPP10N03LBGXK SP000064222 SP000680860 |
อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
ประเภทการติดตั้ง: | Through Hole |
ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | IPP10N03LB G |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds: | 1639pF @ 15V |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs: | 13nC @ 5V |
ประเภท FET: | N-Channel |
คุณสมบัติ FET: | - |
ขยายคำอธิบาย: | N-Channel 30V 50A (Tc) 58W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1 |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss): | 30V |
ลักษณะ: | MOSFET N-CH 30V 50A TO-220 |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส: | 50A (Tc) |
Email: | [email protected] |