IPP040N06N3GXKSA1
IPP040N06N3GXKSA1
รุ่นผลิตภัณฑ์:
IPP040N06N3GXKSA1
ผู้ผลิต:
International Rectifier (Infineon Technologies)
ลักษณะ:
MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
15847 Pieces
แผ่นข้อมูล:
IPP040N06N3GXKSA1.pdf

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ IPP040N06N3GXKSA1 เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา IPP040N06N3GXKSA1 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ IPP040N06N3GXKSA1 กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:4V @ 90µA
Vgs (สูงสุด):±20V
เทคโนโลยี:MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:PG-TO-220-3
ชุด:OptiMOS™
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:4 mOhm @ 90A, 10V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด):188W (Tc)
บรรจุภัณฑ์:Tube
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:TO-220-3
ชื่ออื่น:IPP040N06N3 G
IPP040N06N3 G-ND
IPP040N06N3G
SP000680788
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Through Hole
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน:14 Weeks
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:IPP040N06N3GXKSA1
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:11000pF @ 30V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:98nC @ 10V
ประเภท FET:N-Channel
คุณสมบัติ FET:-
ขยายคำอธิบาย:N-Channel 60V 90A (Tc) 188W (Tc) Through Hole PG-TO-220-3
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On):10V
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):60V
ลักษณะ:MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:90A (Tc)
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ