ซื้อ IPP037N08N3GE8181XKSA1 กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน
IPP037N08N3GE8181XKSA1
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- IPP037N08N3GE8181XKSA1
- ลักษณะ:
- MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3
- สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณที่มีจำหน่าย:
- 19824 Pieces
- แผ่นข้อมูล:
- IPP037N08N3GE8181XKSA1.pdf
บทนำ
BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ IPP037N08N3GE8181XKSA1 เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา IPP037N08N3GE8181XKSA1 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ขนาด
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id: | 3.5V @ 155µA |
|---|---|
| เทคโนโลยี: | MOSFET (Metal Oxide) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | PG-TO-220-3 |
| ชุด: | OptiMOS™ |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs: | 3.75 mOhm @ 100A, 10V |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด): | 214W (Tc) |
| บรรจุภัณฑ์: | Tube |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | TO-220-3 |
| ชื่ออื่น: | IPP037N08N3 G E8181 IPP037N08N3 G E8181-ND SP000765976 |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| ประเภทการติดตั้ง: | Through Hole |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | IPP037N08N3GE8181XKSA1 |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds: | 8110pF @ 40V |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs: | 117nC @ 10V |
| ประเภท FET: | N-Channel |
| คุณสมบัติ FET: | - |
| ขยายคำอธิบาย: | N-Channel 80V 100A (Tc) 214W (Tc) Through Hole PG-TO-220-3 |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss): | 80V |
| ลักษณะ: | MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3 |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส: | 100A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ IPP037N08N3GE8181XKSA1
| ภาพ | รุ่นผลิตภัณฑ์ | ผู้ผลิต | ลักษณะ | ดู |
|---|---|---|---|---|
 |
IPP034N03LGHKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 80A TO-220-3 | การสอบสวน |
|
IPP032N06N3GHKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3 | การสอบสวน |
|
IPP037N08N3GHKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3 | การสอบสวน |
|
IPP037N08N3GXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3 | การสอบสวน |
|
IPP037N06L3GXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3 | การสอบสวน |
|
IPP03N03LA | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 80A TO-220AB | การสอบสวน |
|
IPP030N10N3GXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3 | การสอบสวน |
|
IPP034N03LGXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 80A TO-220-3 | การสอบสวน |
|
IPP039N04LGXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3 | การสอบสวน |
|
IPP032N06N3GXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3 | การสอบสวน |
|
IPP034N08N5AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO220-3 | การสอบสวน |
|
IPP030N10N3GHKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3 | การสอบสวน |
ข่าว Latest
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers