IPI126N10N3 G
IPI126N10N3 G
รุ่นผลิตภัณฑ์:
IPI126N10N3 G
ผู้ผลิต:
International Rectifier (Infineon Technologies)
ลักษณะ:
MOSFET N-CH 100V 58A TO262-3
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
19177 Pieces
แผ่นข้อมูล:
IPI126N10N3 G.pdf

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ IPI126N10N3 G เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา IPI126N10N3 G ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ IPI126N10N3 G กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:3.5V @ 46µA
เทคโนโลยี:MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:PG-TO262-3
ชุด:OptiMOS™
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:12.6 mOhm @ 46A, 10V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด):94W (Tc)
บรรจุภัณฑ์:Tube
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
ชื่ออื่น:IPI126N10N3G
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Through Hole
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:IPI126N10N3 G
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:2500pF @ 50V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:35nC @ 10V
ประเภท FET:N-Channel
คุณสมบัติ FET:-
ขยายคำอธิบาย:N-Channel 100V 58A (Tc) 94W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):100V
ลักษณะ:MOSFET N-CH 100V 58A TO262-3
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:58A (Tc)
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ