ซื้อ IPI072N10N3GXKSA1 กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id: | 3.5V @ 90µA |
---|---|
เทคโนโลยี: | MOSFET (Metal Oxide) |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | PG-TO262-3 |
ชุด: | OptiMOS™ |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs: | 7.2 mOhm @ 80A, 10V |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด): | 150W (Tc) |
บรรจุภัณฑ์: | Tube |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
ชื่ออื่น: | IPI072N10N3 G IPI072N10N3 G-ND IPI072N10N3G SP000469900 SP000680674 |
อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
ประเภทการติดตั้ง: | Through Hole |
ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | IPI072N10N3GXKSA1 |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds: | 4910pF @ 50V |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs: | 68nC @ 10V |
ประเภท FET: | N-Channel |
คุณสมบัติ FET: | - |
ขยายคำอธิบาย: | N-Channel 100V 80A (Tc) 150W (Tc) Through Hole PG-TO262-3 |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss): | 100V |
ลักษณะ: | MOSFET N-CH 100V 80A TO262-3 |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส: | 80A (Tc) |
Email: | [email protected] |