ภาษาไทย
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
เกี่ยวกับเรา | ติดต่อเรา | ขอใบเสนอราคา |
บ้าน > ศูนย์ผลิตภัณฑ์ > Discrete Semiconductor ผลิตภัณฑ์ > ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - อาร์เรย์ > IPG20N10S4L22AATMA1
IPG20N10S4L22AATMA1
IPG20N10S4L22AATMA1
รุ่นผลิตภัณฑ์:
IPG20N10S4L22AATMA1
ผู้ผลิต:
International Rectifier (Infineon Technologies)
ลักษณะ:
MOSFET 2N-CH 100V 20A TDSON-8
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
14059 Pieces
แผ่นข้อมูล:
IPG20N10S4L22AATMA1.pdf
การสอบสวน

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ IPG20N10S4L22AATMA1 เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา IPG20N10S4L22AATMA1 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ IPG20N10S4L22AATMA1 กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:2.1V @ 25µA
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:PG-TDSON-8-10
ชุด:OptiMOS™
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:22 mOhm @ 17A, 10V
เพาเวอร์ - แม็กซ์:60W
บรรจุภัณฑ์:Tape & Reel (TR)
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:8-PowerVDFN
ชื่ออื่น:IPG20N10S4L22AATMA1TR
SP001091984
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Surface Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน:26 Weeks
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:IPG20N10S4L22AATMA1
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:1755pF @ 25V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:27nC @ 10V
ประเภท FET:2 N-Channel (Dual)
คุณสมบัติ FET:Logic Level Gate
ขยายคำอธิบาย:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 20A 60W Surface Mount PG-TDSON-8-10
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):100V
ลักษณะ:MOSFET 2N-CH 100V 20A TDSON-8
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:20A
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ IPG20N10S4L22AATMA1

ภาพ รุ่นผลิตภัณฑ์ ผู้ผลิต ลักษณะ ดู
IPG20N10S4L22ATMA1 Image IPG20N10S4L22ATMA1 Infineon Technologies MOSFET 2N-CH 8TDSON การสอบสวน
IPG20N10S436AATMA1 Infineon Technologies MOSFET 2N-CH 8TDSON การสอบสวน
IPG20N06S2L35ATMA1 Image IPG20N06S2L35ATMA1 Infineon Technologies MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8-4 การสอบสวน
IPG20N10S4L35ATMA1 Infineon Technologies MOSFET 2N-CH 8TDSON การสอบสวน
IPG20N10S4L35AATMA1 Infineon Technologies MOSFET 2N-CH 8TDSON การสอบสวน
IPG20N04S4L08AATMA1 Infineon Technologies MOSFET 2N-CH 8TDSON การสอบสวน
IPG20N04S4L11ATMA1 Image IPG20N04S4L11ATMA1 Infineon Technologies MOSFET 2N-CH 8TDSON การสอบสวน
IPG20N06S4L26AATMA1 Infineon Technologies MOSFET 2N-CH 8TDSON การสอบสวน
IPG20N04S408AATMA1 Image IPG20N04S408AATMA1 Infineon Technologies MOSFET 2N-CH 8TDSON การสอบสวน
IPG20N06S2L35AATMA1 Image IPG20N06S2L35AATMA1 Infineon Technologies MOSFET 2N-CH 8TDSON การสอบสวน

ข่าว Latest