ซื้อ IPD60R400CEATMA1 กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id: | 3.5V @ 300µA |
---|---|
Vgs (สูงสุด): | ±20V |
เทคโนโลยี: | MOSFET (Metal Oxide) |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | TO-252-3 |
ชุด: | CoolMOS™ CE |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs: | 400 mOhm @ 3.8A, 10V |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด): | 83W (Tc) |
บรรจุภัณฑ์: | Original-Reel® |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
ชื่ออื่น: | IPD60R400CEATMA1DKR |
อุณหภูมิในการทำงาน: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 3 (168 Hours) |
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | IPD60R400CEATMA1 |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds: | 700pF @ 100V |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs: | 32nC @ 10V |
ประเภท FET: | N-Channel |
คุณสมบัติ FET: | - |
ขยายคำอธิบาย: | N-Channel 600V 10.3A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount TO-252-3 |
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On): | 10V |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss): | 600V |
ลักษณะ: | MOSFET N-CH 600V TO-252-3 |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส: | 10.3A (Tc) |
Email: | [email protected] |