IPD220N06L3GBTMA1
IPD220N06L3GBTMA1
รุ่นผลิตภัณฑ์:
IPD220N06L3GBTMA1
ผู้ผลิต:
International Rectifier (Infineon Technologies)
ลักษณะ:
MOSFET N-CH 60V 30A TO252-3
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
13511 Pieces
แผ่นข้อมูล:
IPD220N06L3GBTMA1.pdf

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ IPD220N06L3GBTMA1 เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา IPD220N06L3GBTMA1 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ IPD220N06L3GBTMA1 กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:2.2V @ 11µA
Vgs (สูงสุด):±20V
เทคโนโลยี:MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:PG-TO252-3
ชุด:OptiMOS™
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:22 mOhm @ 30A, 10V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด):36W (Tc)
บรรจุภัณฑ์:Tape & Reel (TR)
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ชื่ออื่น:IPD220N06L3 G
IPD220N06L3 G-ND
IPD220N06L3GBTMA1TR
SP000453644
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Surface Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน:14 Weeks
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:IPD220N06L3GBTMA1
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:1600pF @ 30V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:10nC @ 4.5V
ประเภท FET:N-Channel
คุณสมบัติ FET:-
ขยายคำอธิบาย:N-Channel 60V 30A (Tc) 36W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):60V
ลักษณะ:MOSFET N-CH 60V 30A TO252-3
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:30A (Tc)
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ