ซื้อ IPD110N12N3GBUMA1 กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id: | 4V @ 83µA |
---|---|
เทคโนโลยี: | MOSFET (Metal Oxide) |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | PG-TO252-3 |
ชุด: | OptiMOS™ |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs: | 11 mOhm @ 75A, 10V |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด): | 136W (Tc) |
บรรจุภัณฑ์: | Tape & Reel (TR) |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
ชื่ออื่น: | IPD110N12N3 G IPD110N12N3 G-ND IPD110N12N3 GTR IPD110N12N3 GTR-ND IPD110N12N3G SP000674466 |
อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 3 (168 Hours) |
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | IPD110N12N3GBUMA1 |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds: | 4310pF @ 60V |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs: | 65nC @ 10V |
ประเภท FET: | N-Channel |
คุณสมบัติ FET: | - |
ขยายคำอธิบาย: | N-Channel 120V 75A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3 |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss): | 120V |
ลักษณะ: | MOSFET N-CH 120V 75A TO252-3 |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส: | 75A (Tc) |
Email: | [email protected] |