IPD10N03LA G
IPD10N03LA G
รุ่นผลิตภัณฑ์:
IPD10N03LA G
ผู้ผลิต:
International Rectifier (Infineon Technologies)
ลักษณะ:
MOSFET N-CH 25V 30A DPAK
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
16272 Pieces
แผ่นข้อมูล:
IPD10N03LA G.pdf

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ IPD10N03LA G เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา IPD10N03LA G ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ IPD10N03LA G กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:2V @ 20µA
เทคโนโลยี:MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:PG-TO252-3
ชุด:OptiMOS™
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:10.4 mOhm @ 30A, 10V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด):52W (Tc)
บรรจุภัณฑ์:Tape & Reel (TR)
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ชื่ออื่น:IPD10N03LAGXT
SP000017602
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Surface Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):3 (168 Hours)
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:IPD10N03LA G
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:1358pF @ 15V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:11nC @ 5V
ประเภท FET:N-Channel
คุณสมบัติ FET:-
ขยายคำอธิบาย:N-Channel 25V 30A (Tc) 52W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):25V
ลักษณะ:MOSFET N-CH 25V 30A DPAK
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:30A (Tc)
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ