ภาษาไทย
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
เกี่ยวกับเรา | ติดต่อเรา | ขอใบเสนอราคา |
บ้าน > ศูนย์ผลิตภัณฑ์ > Discrete Semiconductor ผลิตภัณฑ์ > ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFET - Single > IPD053N06NATMA1
IPD053N06NATMA1
IPD053N06NATMA1
รุ่นผลิตภัณฑ์:
IPD053N06NATMA1
ผู้ผลิต:
International Rectifier (Infineon Technologies)
ลักษณะ:
MOSFET N-CH 60V 18A TO252-3
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
12296 Pieces
แผ่นข้อมูล:
IPD053N06NATMA1.pdf
การสอบสวน

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ IPD053N06NATMA1 เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา IPD053N06NATMA1 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ IPD053N06NATMA1 กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:2.8V @ 36µA
Vgs (สูงสุด):±20V
เทคโนโลยี:MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:PG-TO252-3
ชุด:OptiMOS™
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:5.3 mOhm @ 45A, 10V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด):3W (Ta), 83W (Tc)
บรรจุภัณฑ์:Tape & Reel (TR)
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
ชื่ออื่น:IPD053N06N
IPD053N06NATMA1TR
IPD053N06NTR
IPD053N06NTR-ND
IPD053N06NXTMA1
SP000962138
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Surface Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน:14 Weeks
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:IPD053N06NATMA1
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:2000pF @ 30V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:27nC @ 10V
ประเภท FET:N-Channel
คุณสมบัติ FET:-
ขยายคำอธิบาย:N-Channel 60V 18A (Ta), 45A (Tc) 3W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On):6V, 10V
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):60V
ลักษณะ:MOSFET N-CH 60V 18A TO252-3
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:18A (Ta), 45A (Tc)
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ IPD053N06NATMA1

ภาพ รุ่นผลิตภัณฑ์ ผู้ผลิต ลักษณะ ดู
IPD053N08N3GATMA1 Image IPD053N08N3GATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3 การสอบสวน
IXTQ88N30P Image IXTQ88N30P IXYS MOSFET N-CH 300V 88A TO-3P การสอบสวน
IPD053N08N3GBTMA1 Image IPD053N08N3GBTMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3 การสอบสวน
IPD05N03LA G Image IPD05N03LA G Infineon Technologies MOSFET N-CH 25V 50A DPAK การสอบสวน
FQB5N60CTM_WS Image FQB5N60CTM_WS Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 600V 4.5A การสอบสวน
IPD053N06N3GBTMA1 Image IPD053N06N3GBTMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3 การสอบสวน
IPD050N03LGATMA1 Image IPD050N03LGATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3 การสอบสวน
IPD05N03LB G Image IPD05N03LB G Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 90A DPAK การสอบสวน
IRF7424TRPBF Image IRF7424TRPBF Infineon Technologies MOSFET P-CH 30V 11A 8-SOIC การสอบสวน
IRF644NSTRL Image IRF644NSTRL Vishay Siliconix MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK การสอบสวน
IPD050N03LGBTMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3 การสอบสวน
NILMS4501NR2 ON Semiconductor MOSFET N-CH 24V 9.5A 4-LLP การสอบสวน
IRF6797MTR1PBF Image IRF6797MTR1PBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 25V 36A DIRECTFET การสอบสวน

ข่าว Latest