IPB80P04P4L04ATMA1
IPB80P04P4L04ATMA1
รุ่นผลิตภัณฑ์:
IPB80P04P4L04ATMA1
ผู้ผลิต:
International Rectifier (Infineon Technologies)
ลักษณะ:
MOSFET P-CH TO263-3
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
13117 Pieces
แผ่นข้อมูล:
IPB80P04P4L04ATMA1.pdf

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ IPB80P04P4L04ATMA1 เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา IPB80P04P4L04ATMA1 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ IPB80P04P4L04ATMA1 กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:2.2V @ 250µA
เทคโนโลยี:MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:PG-TO263-3-2
ชุด:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:4.4 mOhm @ 80A, 10V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด):125W (Tc)
บรรจุภัณฑ์:Tape & Reel (TR)
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ชื่ออื่น:SP000840196
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Surface Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน:14 Weeks
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:IPB80P04P4L04ATMA1
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:3800pF @ 25V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:176nC @ 10V
ประเภท FET:P-Channel
คุณสมบัติ FET:-
ขยายคำอธิบาย:P-Channel 40V 80A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):40V
ลักษณะ:MOSFET P-CH TO263-3
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:80A (Tc)
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ