ซื้อ IPB65R190CFD กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน
IPB65R190CFD
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- IPB65R190CFD
- ลักษณะ:
- MOSFET N-CH 650V 17.5A TO263
- สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณที่มีจำหน่าย:
- 15069 Pieces
- แผ่นข้อมูล:
- IPB65R190CFD.pdf
บทนำ
BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ IPB65R190CFD เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา IPB65R190CFD ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ขนาด
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id: | 4.5V @ 730µA |
|---|---|
| Vgs (สูงสุด): | ±20V |
| เทคโนโลยี: | MOSFET (Metal Oxide) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | PG-TO263 |
| ชุด: | CoolMOS™ |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs: | 190 mOhm @ 7.3A, 10V |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด): | 151W (Tc) |
| บรรจุภัณฑ์: | Original-Reel® |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| ชื่ออื่น: | IPB65R190CFDDKR |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน: | 16 Weeks |
| หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | IPB65R190CFD |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds: | 1850pF @ 100V |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs: | 68nC @ 10V |
| ประเภท FET: | N-Channel |
| คุณสมบัติ FET: | - |
| ขยายคำอธิบาย: | N-Channel 650V 17.5A (Tc) 151W (Tc) Surface Mount PG-TO263 |
| แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On): | 10V |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss): | 650V |
| ลักษณะ: | MOSFET N-CH 650V 17.5A TO263 |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส: | 17.5A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ IPB65R190CFD
| ภาพ | รุ่นผลิตภัณฑ์ | ผู้ผลิต | ลักษณะ | ดู |
|---|---|---|---|---|
 |
IPB65R190C7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO263-3 | การสอบสวน |
|
IPB65R600C6ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 7.3A TO263 | การสอบสวน |
|
IPB65R190CFDAATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO263-3 | การสอบสวน |
|
IPB65R190C6ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 20.2A TO263 | การสอบสวน |
|
IPB65R150CFDAATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO263-3 | การสอบสวน |
|
IPB65R099C6ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 38A TO263 | การสอบสวน |
|
IPB65R380C6ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 10.6A TO263 | การสอบสวน |
|
IPB65R125C7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO263-3 | การสอบสวน |
|
IPB65R110CFDAATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO263-3 | การสอบสวน |
|
IPB65R150CFDATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 22.4A TO-263 | การสอบสวน |
|
IPB65R280E6ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO263-3 | การสอบสวน |
|
IPB65R110CFD | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 31.2A TO263 | การสอบสวน |
ข่าว Latest
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers