IPB35N10S3L26ATMA1
IPB35N10S3L26ATMA1
รุ่นผลิตภัณฑ์:
IPB35N10S3L26ATMA1
ผู้ผลิต:
International Rectifier (Infineon Technologies)
ลักษณะ:
MOSFET N-CH TO263-3
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
18168 Pieces
แผ่นข้อมูล:
IPB35N10S3L26ATMA1.pdf

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ IPB35N10S3L26ATMA1 เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา IPB35N10S3L26ATMA1 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ IPB35N10S3L26ATMA1 กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:2.4V @ 39µA
เทคโนโลยี:MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:PG-TO263-3-2
ชุด:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:26.3 mOhm @ 35A, 10V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด):71W (Tc)
บรรจุภัณฑ์:Tape & Reel (TR)
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ชื่ออื่น:SP000776044
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Surface Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน:14 Weeks
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:IPB35N10S3L26ATMA1
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:2700pF @ 25V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:39nC @ 10V
ประเภท FET:N-Channel
คุณสมบัติ FET:-
ขยายคำอธิบาย:N-Channel 100V 35A (Tc) 71W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):100V
ลักษณะ:MOSFET N-CH TO263-3
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:35A (Tc)
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ