IPB200N15N3 G
IPB200N15N3 G
รุ่นผลิตภัณฑ์:
IPB200N15N3 G
ผู้ผลิต:
International Rectifier (Infineon Technologies)
ลักษณะ:
MOSFET N-CH 150V 50A TO263-3
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
14323 Pieces
แผ่นข้อมูล:
IPB200N15N3 G.pdf

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ IPB200N15N3 G เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา IPB200N15N3 G ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ IPB200N15N3 G กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:4V @ 90µA
Vgs (สูงสุด):±20V
เทคโนโลยี:MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:PG-TO263-2
ชุด:OptiMOS™
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:20 mOhm @ 50A, 10V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด):150W (Tc)
บรรจุภัณฑ์:Tape & Reel (TR)
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ชื่ออื่น:IPB200N15N3 G-ND
IPB200N15N3 GTR
IPB200N15N3G
IPB200N15N3GATMA1
SP000414740
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Surface Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน:12 Weeks
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:IPB200N15N3 G
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:1820pF @ 75V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:31nC @ 10V
ประเภท FET:N-Channel
คุณสมบัติ FET:-
ขยายคำอธิบาย:N-Channel 150V 50A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TO263-2
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On):8V, 10V
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):150V
ลักษณะ:MOSFET N-CH 150V 50A TO263-3
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:50A (Tc)
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ