IPB180P04P4L02ATMA1
IPB180P04P4L02ATMA1
รุ่นผลิตภัณฑ์:
IPB180P04P4L02ATMA1
ผู้ผลิต:
International Rectifier (Infineon Technologies)
ลักษณะ:
MOSFET P-CH 40V 180A TO263-7
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
14380 Pieces
แผ่นข้อมูล:
IPB180P04P4L02ATMA1.pdf

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ IPB180P04P4L02ATMA1 เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา IPB180P04P4L02ATMA1 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ IPB180P04P4L02ATMA1 กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:2.2V @ 410µA
Vgs (สูงสุด):±16V
เทคโนโลยี:MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:PG-TO263-7-3
ชุด:OptiMOS™
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:2.4 mOhm @ 100A, 10V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด):150W (Tc)
บรรจุภัณฑ์:Tape & Reel (TR)
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
ชื่ออื่น:IPB180P04P4L02ATMA1TR
SP000709460
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Surface Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน:14 Weeks
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:IPB180P04P4L02ATMA1
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:18700pF @ 25V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:286nC @ 10V
ประเภท FET:P-Channel
คุณสมบัติ FET:-
ขยายคำอธิบาย:P-Channel 40V 180A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-3
แรงดันไฟฟ้าของไดรฟ์ (สูงสุด Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):40V
ลักษณะ:MOSFET P-CH 40V 180A TO263-7
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:180A (Tc)
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ