ซื้อ IPB160N04S3-H2 กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน
VGS (TH) (สูงสุด) @ Id: | 4V @ 150µA |
---|---|
เทคโนโลยี: | MOSFET (Metal Oxide) |
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | PG-TO263-7-3 |
ชุด: | OptiMOS™ |
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs: | 2.1 mOhm @ 80A, 10V |
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด): | 214W (Tc) |
บรรจุภัณฑ์: | Cut Tape (CT) |
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB |
ชื่ออื่น: | IPB160N04S3-H2CT IPB160N04S3-H2CT-ND |
อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | IPB160N04S3-H2 |
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds: | 9600pF @ 25V |
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs: | 145nC @ 10V |
ประเภท FET: | N-Channel |
คุณสมบัติ FET: | - |
ขยายคำอธิบาย: | N-Channel 40V 160A (Tc) 214W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-3 |
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss): | 40V |
ลักษณะ: | MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7 |
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส: | 160A (Tc) |
Email: | [email protected] |