ภาษาไทย
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
เกี่ยวกับเรา | ติดต่อเรา | ขอใบเสนอราคา |
บ้าน > ศูนย์ผลิตภัณฑ์ > Discrete Semiconductor ผลิตภัณฑ์ > ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFET - Single > IPB120N06S402ATMA2
IPB120N06S402ATMA2
IPB120N06S402ATMA2
รุ่นผลิตภัณฑ์:
IPB120N06S402ATMA2
ผู้ผลิต:
International Rectifier (Infineon Technologies)
ลักษณะ:
MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
19727 Pieces
แผ่นข้อมูล:
IPB120N06S402ATMA2.pdf
การสอบสวน

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ IPB120N06S402ATMA2 เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา IPB120N06S402ATMA2 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ IPB120N06S402ATMA2 กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

VGS (TH) (สูงสุด) @ Id:4V @ 140µA
เทคโนโลยี:MOSFET (Metal Oxide)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:PG-TO263-3-2
ชุด:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs:2.8 mOhm @ 100A, 10V
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด):188W (Tc)
บรรจุภัณฑ์:Tape & Reel (TR)
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
ชื่ออื่น:SP001028776
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Surface Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน:14 Weeks
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:IPB120N06S402ATMA2
Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds:15750pF @ 25V
ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:195nC @ 10V
ประเภท FET:N-Channel
คุณสมบัติ FET:-
ขยายคำอธิบาย:N-Channel 60V 120A (Tc) 188W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss):60V
ลักษณะ:MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส:120A (Tc)
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ IPB120N06S402ATMA2

ภาพ รุ่นผลิตภัณฑ์ ผู้ผลิต ลักษณะ ดู
IPB120N03S4L03ATMA1 Image IPB120N03S4L03ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH TO263-3 การสอบสวน
IPB120N06S4H1ATMA1 Image IPB120N06S4H1ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3 การสอบสวน
IPB120N06S403ATMA2 Image IPB120N06S403ATMA2 Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3 การสอบสวน
IPB120N06S403ATMA1 Image IPB120N06S403ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3 การสอบสวน
IPB120N06N G Image IPB120N06N G Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 75A TO-263 การสอบสวน
IPB120N08S404ATMA1 Image IPB120N08S404ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH TO263-3 การสอบสวน
IPB120N04S404ATMA1 Image IPB120N04S404ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH TO263-3 การสอบสวน
IPB120N06S402ATMA1 Image IPB120N06S402ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3 การสอบสวน
IPB120N06S4H1ATMA2 Image IPB120N06S4H1ATMA2 Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3 การสอบสวน

ข่าว Latest