ซื้อ IPB05N03LB G กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน
IPB05N03LB G
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- IPB05N03LB G
- ลักษณะ:
- MOSFET N-CH 30V 80A TO-263
- สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณที่มีจำหน่าย:
- 12797 Pieces
- แผ่นข้อมูล:
- IPB05N03LB G.pdf
บทนำ
BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ IPB05N03LB G เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา IPB05N03LB G ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ขนาด
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id: | 2V @ 40µA |
|---|---|
| เทคโนโลยี: | MOSFET (Metal Oxide) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | PG-TO263-3-2 |
| ชุด: | OptiMOS™ |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs: | 5 mOhm @ 60A, 10V |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด): | 94W (Tc) |
| บรรจุภัณฑ์: | Tape & Reel (TR) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| ชื่ออื่น: | IPB05N03LB G-ND IPB05N03LBGINTR IPB05N03LBGXT SP000103303 |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| ประเภทการติดตั้ง: | Surface Mount |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | IPB05N03LB G |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds: | 3209pF @ 15V |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs: | 25nC @ 5V |
| ประเภท FET: | N-Channel |
| คุณสมบัติ FET: | - |
| ขยายคำอธิบาย: | N-Channel 30V 80A (Tc) 94W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2 |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss): | 30V |
| ลักษณะ: | MOSFET N-CH 30V 80A TO-263 |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส: | 80A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ IPB05N03LB G
| ภาพ | รุ่นผลิตภัณฑ์ | ผู้ผลิต | ลักษณะ | ดู |
|---|---|---|---|---|
 |
IPB05N03LAT | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK | การสอบสวน |
|
IPB055N03LGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 50A TO-263-3 | การสอบสวน |
|
IPB05N03LB | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK | การสอบสวน |
|
IPB050N06NGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 100A TO-263 | การสอบสวน |
|
IPB05N03LA G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK | การสอบสวน |
|
IPB05N03LA | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK | การสอบสวน |
|
IPB054N08N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 80A TO263-3 | การสอบสวน |
|
IPB05CN10N G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3 | การสอบสวน |
|
IPB052N04NGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 70A TO263-3 | การสอบสวน |
|
IPB054N06N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3 | การสอบสวน |
|
IPB057N06NATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 17A TO263-3 | การสอบสวน |
ข่าว Latest
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog