IMD10AMT1G - ON Semiconductor - ทรานซิสเตอร์ - Bipolar (BJT) - อาร์เรย์, Pre-Biase IMD10AMT1G

IMD10AMT1G

รุ่นผลิตภัณฑ์:: IMD10AMT1G

ผู้ผลิต:: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

ลักษณะ:: TRANS NPN/PNP PREBIAS SC74R

สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:: ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS

ปริมาณที่มีจำหน่าย:: 17651 Pieces

แผ่นข้อมูล:: IMD10AMT1G.pdf

การสอบสวน

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ IMD10AMT1G เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา IMD10AMT1G ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ

ซื้อ IMD10AMT1G กับ BYCHPS

ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด):	50V
VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic:	300mV @ 1mA, 10mA
ประเภททรานซิสเตอร์:	1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:	SC-74R
ชุด:	-
ต้านทาน - Emitter ฐาน (R2) (โอห์ม):	10k
ต้านทาน - ฐาน (R1) (โอห์ม):	13k, 130
เพาเวอร์ - แม็กซ์:	285mW
บรรจุภัณฑ์:	Tape & Reel (TR)
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:	SC-74, SOT-457
ประเภทการติดตั้ง:	Surface Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):	1 (Unlimited)
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน:	4 Weeks
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:	IMD10AMT1G
ความถี่ - การเปลี่ยน:	-
ขยายคำอธิบาย:	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 500mA 285mW Surface Mount SC-74R
ลักษณะ:	TRANS NPN/PNP PREBIAS SC74R
DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE:	100 @ 1mA, 5V / 68 @ 100mA, 5V
ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด):	500nA
ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด):	500mA
Email:	[email protected]

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ IMD10AMT1G

รุ่นผลิตภัณฑ์	ผู้ผลิต	ลักษณะ	ดู
XP0421M00L	Panasonic Electronic Components	TRANS PREBIAS DUAL NPN SMINI6	การสอบสวน
NSBC123EPDXV6T1G	ON Semiconductor	TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563	การสอบสวน
MUN5236DW1T1	ON Semiconductor	TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363	การสอบสวน
DMG964H30R	Panasonic Electronic Components	TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI6	การสอบสวน
DMC561020R	Panasonic Electronic Components	TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W SMINI5	การสอบสวน

บทนำ

ขนาด

ด่วนขอใบเสนอราคา

ข่าว Latest