ภาษาไทย
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
เกี่ยวกับเรา | ติดต่อเรา | ขอใบเสนอราคา |
บ้าน > ศูนย์ผลิตภัณฑ์ > Discrete Semiconductor ผลิตภัณฑ์ > ทรานซิสเตอร์ - IGBT - เดี่ยว > IHW50N65R5XKSA1
IHW50N65R5XKSA1
IHW50N65R5XKSA1
รุ่นผลิตภัณฑ์:
IHW50N65R5XKSA1
ผู้ผลิต:
International Rectifier (Infineon Technologies)
ลักษณะ:
IGBT 650V 80A 282W TO247
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
14231 Pieces
แผ่นข้อมูล:
IHW50N65R5XKSA1.pdf
การสอบสวน

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ IHW50N65R5XKSA1 เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา IHW50N65R5XKSA1 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ IHW50N65R5XKSA1 กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด):650V
VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี:1.7V @ 15V, 50A
ทดสอบสภาพ:400V, 25A, 8 Ohm, 15V
Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C:26ns/220ns
การสลับพลังงาน:740µJ (on), 180µJ (off)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:PG-TO247-3
ชุด:TrenchStop®
ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR):95ns
เพาเวอร์ - แม็กซ์:282W
บรรจุภัณฑ์:Tube
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:TO-247-3
ชื่ออื่น:SP001133104
อุณหภูมิในการทำงาน:-40°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Through Hole
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน:14 Weeks
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:IHW50N65R5XKSA1
ประเภทขาเข้า:Standard
ประเภท IGBT:-
ค่าใช้จ่ายประตู:230nC
ขยายคำอธิบาย:IGBT 650V 80A 282W Through Hole PG-TO247-3
ลักษณะ:IGBT 650V 80A 282W TO247
ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM):150A
ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด):80A
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ IHW50N65R5XKSA1

ภาพ รุ่นผลิตภัณฑ์ ผู้ผลิต ลักษณะ ดู
SKB04N60ATMA1 Image SKB04N60ATMA1 Infineon Technologies IGBT 600V 9.4A 50W TO263-3 การสอบสวน
IXGC16N60C2D1 IXYS IGBT 600V 20A 63W ISOPLUS220 การสอบสวน
IRGIB6B60KD116P Image IRGIB6B60KD116P Infineon Technologies IGBT 600V 11A 38W TO220FP การสอบสวน
IRGS4640DPBF Image IRGS4640DPBF Infineon Technologies DIODE 600V 40A D2PAK การสอบสวน
IXGH36N60B3 Image IXGH36N60B3 IXYS IGBT 600V 92A 250W TO247 การสอบสวน
IRG4BC40K Image IRG4BC40K Infineon Technologies IGBT 600V 42A 160W TO220AB การสอบสวน
FGAF40N60SMD Image FGAF40N60SMD Fairchild/ON Semiconductor IGBT 600V 80A 79W TO-3PF การสอบสวน
NGTB20N120IHSWG Image NGTB20N120IHSWG ON Semiconductor IGBT 1200V 20A TO247 การสอบสวน
FGA180N33ATTU Image FGA180N33ATTU Fairchild/ON Semiconductor IGBT 330V 180A 390W TO3P การสอบสวน
IRGS6B60KTRLPBF Image IRGS6B60KTRLPBF Infineon Technologies IGBT 600V 13A 90W D2PAK การสอบสวน
STGWF40V60DF Image STGWF40V60DF STMicroelectronics IGBT BIPO 600V 40A TO3P การสอบสวน
AOB5B60D Image AOB5B60D Alpha & Omega Semiconductor Inc. IGBT 600V 10A 82.4W TO263 การสอบสวน
IXGH28N90B Image IXGH28N90B IXYS IGBT 900V 51A 200W TO247AD การสอบสวน

ข่าว Latest