HN3A51F(TE85L,F) - Toshiba Semiconductor and Storage - ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อาร์เรย์ HN3A51F(TE85L,F)

HN3A51F(TE85L,F)

รุ่นผลิตภัณฑ์:: HN3A51F(TE85L,F)

ผู้ผลิต:: Toshiba Semiconductor

ลักษณะ:: TRANS 2PNP 120V 0.1A SM6

สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:: ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS

ปริมาณที่มีจำหน่าย:: 15096 Pieces

แผ่นข้อมูล:: HN3A51F(TE85L,F).pdf

การสอบสวน

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ HN3A51F(TE85L,F) เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา HN3A51F(TE85L,F) ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ

ซื้อ HN3A51F(TE85L,F) กับ BYCHPS

ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด):	120V
VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic:	300mV @ 1mA, 10mA
ประเภททรานซิสเตอร์:	2 PNP (Dual)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:	SM6
ชุด:	-
เพาเวอร์ - แม็กซ์:	300mW
บรรจุภัณฑ์:	Tape & Reel (TR)
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:	SC-74, SOT-457
ชื่ออื่น:	HN3A51F (TE85L,F) HN3A51F(TE85LF)TR HN3A51FTE85LF
อุณหภูมิในการทำงาน:	150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:	Surface Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):	1 (Unlimited)
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:	HN3A51F(TE85L,F)
ความถี่ - การเปลี่ยน:	100MHz
ขยายคำอธิบาย:	Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 120V 100mA 100MHz 300mW Surface Mount SM6
ลักษณะ:	TRANS 2PNP 120V 0.1A SM6
DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE:	200 @ 2mA, 6V
ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด):	100nA (ICBO)
ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด):	100mA
Email:	[email protected]

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ HN3A51F(TE85L,F)

รุ่นผลิตภัณฑ์	ผู้ผลิต	ลักษณะ	ดู
BCM847BS,115	Nexperia USA Inc.	TRANS 2NPN 45V 0.1A 6TSSOP	การสอบสวน
BC817DPN,115	Nexperia USA Inc.	TRANS NPN/PNP 45V 0.5A 6TSOP	การสอบสวน
NSVBC847BDW1T2G	ON Semiconductor	TRANS 2NPN 45V 0.1A SC88	การสอบสวน
EMZ7T2R	Rohm Semiconductor	TRANS NPN/PNP 12V 0.5A 6EMT	การสอบสวน
SLA4052	Sanken	TRANS 9NPN DARL 120V 3A 21SIP	การสอบสวน
PBSS4140DPN,115	Nexperia USA Inc.	TRANS NPN/PNP 40V 1A 6TSOP	การสอบสวน
BC846S/ZLX	Nexperia USA Inc.	TRANS 2NPN 65V 0.1A 6TSSOP	การสอบสวน

บทนำ

ขนาด

ด่วนขอใบเสนอราคา

ข่าว Latest