HN1B04FE-GR,LF
HN1B04FE-GR,LF
รุ่นผลิตภัณฑ์:
HN1B04FE-GR,LF
ผู้ผลิต:
Toshiba Semiconductor
ลักษณะ:
TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ES6
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
12348 Pieces
แผ่นข้อมูล:
HN1B04FE-GR,LF.pdf

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ HN1B04FE-GR,LF เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา HN1B04FE-GR,LF ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ HN1B04FE-GR,LF กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด):50V
VCE อิ่มตัว (สูงสุด) @ Ib, Ic:250mV @ 10mA, 100mA
ประเภททรานซิสเตอร์:NPN, PNP
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:ES6
ชุด:-
เพาเวอร์ - แม็กซ์:100mW
บรรจุภัณฑ์:Tape & Reel (TR)
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:SOT-563, SOT-666
ชื่ออื่น:HN1B04FE-GR(5L,F,T
HN1B04FE-GR(5LFTTR
HN1B04FE-GR(5LFTTR-ND
HN1B04FE-GR,LF(B
HN1B04FE-GR,LF(T
HN1B04FE-GRLF(TTR
HN1B04FE-GRLF(TTR-ND
HN1B04FE-GRLFTR
HN1B04FEGRLFTR
HN1B04FEGRLFTR-ND
อุณหภูมิในการทำงาน:150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Surface Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน:16 Weeks
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:HN1B04FE-GR,LF
ความถี่ - การเปลี่ยน:80MHz
ขยายคำอธิบาย:Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 50V 150mA 80MHz 100mW Surface Mount ES6
ลักษณะ:TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ES6
DC กำไรปัจจุบัน (HFE) (ต่ำสุด) @ IC, VCE:200 @ 2mA, 6V
ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด):100nA (ICBO)
ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด):150mA
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ