ภาษาไทย
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
เกี่ยวกับเรา | ติดต่อเรา | ขอใบเสนอราคา |
บ้าน > ศูนย์ผลิตภัณฑ์ > Discrete Semiconductor ผลิตภัณฑ์ > ทรานซิสเตอร์ - IGBT - เดี่ยว > HGTG5N120BND
HGTG5N120BND
HGTG5N120BND
รุ่นผลิตภัณฑ์:
HGTG5N120BND
ผู้ผลิต:
Fairchild/ON Semiconductor
ลักษณะ:
IGBT 1200V 21A 167W TO247
สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
ปริมาณที่มีจำหน่าย:
13379 Pieces
แผ่นข้อมูล:
HGTG5N120BND.pdf
การสอบสวน

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ HGTG5N120BND เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา HGTG5N120BND ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ซื้อ HGTG5N120BND กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด):1200V
VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี:2.7V @ 15V, 5A
ทดสอบสภาพ:960V, 5A, 25 Ohm, 15V
Td (เปิด / ปิด) ที่ 25 ° C:22ns/160ns
การสลับพลังงาน:450µJ (on), 390µJ (off)
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:TO-247
ชุด:-
ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR):65ns
เพาเวอร์ - แม็กซ์:167W
บรรจุภัณฑ์:Tube
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:TO-247-3
ชื่ออื่น:HGTG5N120BND-ND
HGTG5N120BNDFS
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง:Through Hole
ระดับความไวของความชื้น (MSL):1 (Unlimited)
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:HGTG5N120BND
ประเภทขาเข้า:Standard
ประเภท IGBT:NPT
ค่าใช้จ่ายประตู:53nC
ขยายคำอธิบาย:IGBT NPT 1200V 21A 167W Through Hole TO-247
ลักษณะ:IGBT 1200V 21A 167W TO247
ปัจจุบัน - คอ Pulsed (ICM):40A
ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด):21A
Email:[email protected]

ด่วนขอใบเสนอราคา

รุ่นผลิตภัณฑ์
จำนวน
บริษัท
E-mail
เบอร์โทร
หมายเหตุ

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ HGTG5N120BND

ภาพ รุ่นผลิตภัณฑ์ ผู้ผลิต ลักษณะ ดู
STGD3NB60HDT4 STMicroelectronics IGBT 600V 10A 50W DPAK การสอบสวน
TIG110BF Image TIG110BF ON Semiconductor IGBT 600V 27A 2W TO220 การสอบสวน
IRG4BC10SD-S Image IRG4BC10SD-S Infineon Technologies IGBT 600V 14A 38W D2PAK การสอบสวน
SKA06N60XKSA1 Image SKA06N60XKSA1 Infineon Technologies IGBT 600V 9A 32W TO220-3 การสอบสวน
FGA90N30TU Image FGA90N30TU Fairchild/ON Semiconductor IGBT 300V 90A 219W TO3P การสอบสวน
IXGP12N120A2 Image IXGP12N120A2 IXYS IGBT 1200V 24A 75W TO220 การสอบสวน
IXYT30N65C3H1HV Image IXYT30N65C3H1HV IXYS IGBT 650V 60A 270W TO268HV การสอบสวน
NGTB10N60FG Image NGTB10N60FG ON Semiconductor IGBT 600V 10A TO220F3 การสอบสวน
AOTF15B60D2 Image AOTF15B60D2 Alpha & Omega Semiconductor Inc. IGBT 15A การสอบสวน
STGB8NC60KT4 Image STGB8NC60KT4 STMicroelectronics IGBT 600V 15A 65W D2PAK การสอบสวน
IRGP4068D-EPBF Image IRGP4068D-EPBF Infineon Technologies IGBT 600V 96A 330W TO247AD การสอบสวน
STGD10NC60KT4 STMicroelectronics IGBT 600V 20A 60W DPAK การสอบสวน
IRG7PH46U-EP Image IRG7PH46U-EP Infineon Technologies IGBT 1200V 108A TO247 การสอบสวน
STGB10NB60ST4 Image STGB10NB60ST4 STMicroelectronics IGBT 600V 29A 80W D2PAK การสอบสวน

ข่าว Latest