ซื้อ GP1M009A070F กับ BYCHPS
ซื้อพร้อมรับประกัน
GP1M009A070F
- รุ่นผลิตภัณฑ์:
- GP1M009A070F
- ผู้ผลิต:
- Global Power Technologies Group
- ลักษณะ:
- MOSFET N-CH 700V 9A TO220F
- สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:
- ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS
- ปริมาณที่มีจำหน่าย:
- 18079 Pieces
- แผ่นข้อมูล:
- GP1M009A070F.pdf
บทนำ
BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ GP1M009A070F เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา GP1M009A070F ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ
ขนาด
| VGS (TH) (สูงสุด) @ Id: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| เทคโนโลยี: | MOSFET (Metal Oxide) |
| ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ: | TO-220F |
| ชุด: | - |
| RDS บน (สูงสุด) @ Id, Vgs: | 1.05 Ohm @ 4.5A, 10V |
| พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด): | 52W (Tc) |
| บรรจุภัณฑ์: | Tape & Reel (TR) |
| หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์: | TO-220-3 Full Pack |
| อุณหภูมิในการทำงาน: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| ประเภทการติดตั้ง: | Through Hole |
| ระดับความไวของความชื้น (MSL): | 1 (Unlimited) |
| หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต: | GP1M009A070F |
| Input Capacitance (Ciss) (สูงสุด) ที่ Vds: | 1944pF @ 25V |
| ค่าประตู (Qg) (สูงสุด) @ Vgs: | 30nC @ 10V |
| ประเภท FET: | N-Channel |
| คุณสมบัติ FET: | - |
| ขยายคำอธิบาย: | N-Channel 700V 9A (Tc) 52W (Tc) Through Hole TO-220F |
| ท่อระบายน้ำไปยังแหล่งที่มาของแรงดัน (Vdss): | 700V |
| ลักษณะ: | MOSFET N-CH 700V 9A TO220F |
| ปัจจุบัน - Drain ต่อเนื่อง (Id) @ 25 องศาเซลเซียส: | 9A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ GP1M009A070F
| ภาพ | รุ่นผลิตภัณฑ์ | ผู้ผลิต | ลักษณะ | ดู |
|---|---|---|---|---|
 |
GP1M009A020CG | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 200V 9A DPAK | การสอบสวน |
 |
GP1M009A090H | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 900V 9A TO220 | การสอบสวน |
 |
GP1M009A090FH | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 900V 9A TO220F | การสอบสวน |
|
GP1M009A060H | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 600V 9A TO220 | การสอบสวน |
|
GP1M009A050FSH | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 500V 8.5A TO220F | การสอบสวน |
|
GP1M009A020HG | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 200V 9A TO220 | การสอบสวน |
|
GP1M009A050HS | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 500V 8.5A TO220 | การสอบสวน |
 |
GP1M009A090N | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 900V 9.5A TO3PN | การสอบสวน |
 |
GP1M009A020PG | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 200V 9A IPAK | การสอบสวน |
|
GP1M009A020FG | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 200V 9A TO220F | การสอบสวน |
|
GP1M009A060FH | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 600V 9A TO220F | การสอบสวน |
ข่าว Latest
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers