GB35XF120K - Vishay Semiconductor Diodes Division - ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โมดูล GB35XF120K

GB35XF120K

รุ่นผลิตภัณฑ์:: GB35XF120K

ผู้ผลิต:: Vishay / Semiconductor - Diodes Division

ลักษณะ:: MODULE IGBT 1200V 35A ECONO2 6PK

สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:: ประกอบด้วยสารตะกั่ว / ไม่เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS

ปริมาณที่มีจำหน่าย:: 17430 Pieces

แผ่นข้อมูล:: GB35XF120K.pdf

การสอบสวน

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ GB35XF120K เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา GB35XF120K ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ

ซื้อ GB35XF120K กับ BYCHPS

ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

แรงดันไฟฟ้า - คอ Emitter พังทลาย (สูงสุด):	1200V
VCE (ON) (สูงสุด) @ VGE ไอซี:	3V @ 15V, 50A
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:	-
ชุด:	-
เพาเวอร์ - แม็กซ์:	284W
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:	ECONO2
อุณหภูมิในการทำงาน:	150°C (TJ)
กทช Thermistor:	No
ประเภทการติดตั้ง:	Chassis Mount
ระดับความไวของความชื้น (MSL):	1 (Unlimited)
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:	GB35XF120K
การป้อนข้อมูลการประจุกระแสไฟ (Cies) @ VCE:	3.475nF @ 30V
อินพุต:	Standard
ประเภท IGBT:	NPT
ขยายคำอธิบาย:	IGBT Module NPT Three Phase Inverter 1200V 50A 284W Chassis Mount
ลักษณะ:	MODULE IGBT 1200V 35A ECONO2 6PK
ปัจจุบัน - นักลัด (สูงสุด):	100µA
ปัจจุบัน - สะสม (IC) (สูงสุด):	50A
องค์ประกอบ:	Three Phase Inverter
Email:	[email protected]

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ GB35XF120K

รุ่นผลิตภัณฑ์	ผู้ผลิต	ลักษณะ	ดู
MIAA15WD600TMH	IXYS	MODULE IGBT CBI	การสอบสวน
APTGT150DA120TG	Microsemi Corporation	IGBT 1200V 200A 690W SP4	การสอบสวน
APTGL475U120D4G	Microsemi Corporation	IGBT4 SGL SWITCH 1200V 610A D4	การสอบสวน
MG1215H-XBN2MM	Littelfuse Inc.	IGBT MOD 1200V 15A PKG H CRCT:XB	การสอบสวน
IXYN100N120C3	IXYS	IGBT XPT 1200V 152A SOT-227B	การสอบสวน

บทนำ

ขนาด

ด่วนขอใบเสนอราคา

ข่าว Latest