GA01PNS80-220 - GeneSiC Semiconductor - ไดโอด - RF GA01PNS80-220

GA01PNS80-220

รุ่นผลิตภัณฑ์:: GA01PNS80-220

ผู้ผลิต:: GeneSiC Semiconductor

ลักษณะ:: DIODE SILICON CARBIDE 8KV

สถานะสารตะกั่ว / สถานะ RoHS:: ปราศจากสารตะกั่ว / เป็นไปตาม RoHS

ปริมาณที่มีจำหน่าย:: 13643 Pieces

แผ่นข้อมูล:: GA01PNS80-220.pdf

การสอบสวน

บทนำ

BYCHIPS เป็นผู้จัดจำหน่ายถุงเท้าสำหรับ GA01PNS80-220 เรามีหุ้นสำหรับการจัดส่งได้ทันทีและยังสามารถใช้ได้สำหรับการจัดหาเวลานาน กรุณาส่งแผนการซื้อมาให้เรา GA01PNS80-220 ทางอีเมลเราจะให้ราคาที่ดีที่สุดตามแผนของคุณ

ซื้อ GA01PNS80-220 กับ BYCHPS

ซื้อพร้อมรับประกัน

ขนาด

แรงดันไฟฟ้า - ยอดย้อนกลับ (สูงสุด):	8000V
ผู้ผลิตอุปกรณ์แพคเกจ:	-
ชุด:	-
ต้านทาน @ ถ้า F:	-
พลังงานที่สูญเสีย (สูงสุด):	-
บรรจุภัณฑ์:	Tube
หีบห่อ / บรรจุภัณฑ์:	Axial
ชื่ออื่น:	1242-1259
อุณหภูมิในการทำงาน:	-55°C ~ 175°C (TJ)
ระดับความไวของความชื้น (MSL):	1 (Unlimited)
ระยะเวลารอคอยของผู้ผลิตมาตรฐาน:	18 Weeks
หมายเลขชิ้นส่วนของผู้ผลิต:	GA01PNS80-220
ขยายคำอธิบาย:	RF Diode PIN - Single 8000V 2A
ประเภทไดโอด:	PIN - Single
ลักษณะ:	DIODE SILICON CARBIDE 8KV
ปัจจุบัน - แม็กซ์:	2A
การประจุกระแสไฟ @ Vr, F:	4pF @ 1000V, 1MHz
Email:	[email protected]

ชิ้นส่วนที่เกี่ยวข้องกับการ GA01PNS80-220

รุ่นผลิตภัณฑ์	ผู้ผลิต	ลักษณะ	ดู
HSMS-2808-TR2G	Broadcom Limited	DIODE SCHOTTKY RF QD 70V SOT-143	การสอบสวน
CLA4607-000	Skyworks Solutions Inc.	DIODE LIMITER SILICON 120-180V	การสอบสวน
HSMS-280M-BLKG	Broadcom Limited	DIODE SCHOTTKY RF QUAD 70V SOT23	การสอบสวน
HBAT-5402-TR1	Broadcom Limited	DIODE SCHOTTKY 30V 220MA SOT-23	การสอบสวน
BAR 88-02V E6327	Infineon Technologies	DIODE PIN SGL 80V 100MA SC-79	การสอบสวน
BAR5003WE6327HTSA1	Infineon Technologies	DIODE RF SW 50V 100MA SOD323	การสอบสวน
5082-3077#T50	Broadcom Limited	DIODE PIN GEN PURP SW 200V AXIAL	การสอบสวน
GA01PNS150-220	GeneSiC Semiconductor	DIODE SILICON CARBIDE 15KV 1A	การสอบสวน

บทนำ

ขนาด

ด่วนขอใบเสนอราคา

ข่าว Latest